HBM4爭霸戰開打 美光領跑

生成式AI持續爆發，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰局，爭搶AI加速器內存主導權。 其中，美光搶先宣布送樣，技術領先態勢明顯。

美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產品采用先進的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過60%，能源效率亦提升逾20%，預計2026年正式量產。

美光指出，HBM4具備內存內建自我測試（MBIST）功能，可大幅強化AI加速器的推論效能與反應速度，協助加速AI在醫療、金融、交通等領域的應用部署，為下一代AI平臺提供無縫整合解決方案。

在競爭態勢方面，SK海力士仍穩居全球HBM市占率龍頭。 其HBM4目前正處于驗證階段，預計2025年底完成樣品交付，并且于2026年初投入量產。 SK海力士目前為英偉達（NVIDIA）主要存儲器供應商，并且擴建M16封裝產線，以鞏固在HBM市場的主導地位。

三星電子亦不落人后，透過整合旗下晶圓代工與先進封裝（SAINT）技術，推動HBM4與SoC深度整合，目前已提供HBM4工程樣品予部分合作伙伴，并預定于2026年展開量產。 業界認為，三星的垂直整合策略，將成為挑戰現有市場格局的重要變量。

雖然HBM核心技術掌握在美、韓大廠手中，但中國臺灣供應鏈在封裝、測試、載板與半導體IP等領域，扮演不可或缺的角色。

目前臺積電提供CoWoS、SoIC等先進封裝技術，支持HBM與AI芯片的高效整合; 日月光、矽品與力成則承擔中后段封裝與測試任務，有助提升良率與產能。

載板三雄欣興、南電與景碩提供HBM4所需的高階ABF載板，支撐高速傳輸與高密度堆疊結構。 此外，力旺、智原、創意等中國臺灣半導體IP設計業者，亦可能因應HBM與AI SoC整合需求上升而受惠。

業者認為，HBM4已成為下一世代AI運算架構的核心記憶體，中國臺灣供應鏈企業站穩全球價值鏈中樞，勢將隨著HBM4與AI加速器的快速成長，迎來新一波產業升級與技術黃金期。