- 一位業內人士表示,「『半導體游戲規則』可能在 10 年內改變,區別存儲半導體和邏輯半導體可能變得毫無意義」。HBM4,魅力為何如此?技術的突破2023 年,在 AI 技術應用的推動下,數據呈現出爆炸式的增長,大幅度推升了算力需求。據悉,在 AI 大模型領域,未來 AI 服務器的主要需求將從訓練側向推理側傾斜。而根據 IDC 的預測,到 2026 年,AIGC 的算力 62.2% 將作用于模型推理。同時,預計到 2025 年,智能算力需求將達到當前的 100 倍。據悉,自 2015 年以來,從 HBM1 到
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HBM4
- 人工智能浪潮之下,HBM從幕后走向臺前,市場需求持續看漲。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測,2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%。與傳統DRAM相比,HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優勢,可以加快AI數據處理速度,更適用于ChatGPT等高性能計算場景,因而備受青睞,存儲大廠也在積極推動HBM技術迭代。存儲大廠持續發力,三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產品問世至今,HBM技術已經更新迭代出多款產品,分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存儲器 HBM4
- 三星電子日前表示,計劃開始提供HBM3E樣品,正在開發HBM4,目標2025年供貨。據韓媒,三星電子副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang日前表示,計劃開始提供HBM3E樣品,正在開發HBM4,目標2025年供貨。他透露,三星電子還準備針對高溫熱特性優化的NCF(非導電粘合膜)組裝技術和HCB(混合鍵合)技術,以應用于該產品。此外,三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務,公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業務團隊,以加強尖端封裝技術并最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。
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三星 HBM3E HBM4
- AI大勢下,高帶寬內存 (HBM) 從幕后走向臺前,備受存儲市場關注。近期,媒體報道下一代HBM將迎來重大變化,HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。自2015年以來,所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位,足以可見HBM4具備的變革意義。另據韓媒報道,三星為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產品制程技術,預計2026年量產HBM4。盡管HBM4將有大突破,但它不會很快到來。當前HBM市場以HBM2e為主,未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機
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HBM4
- 據韓媒報道,三星為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產品制程技術,預計2026年量產新一代HBM產品,HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E,I/O接口數為每顆芯片1024個,擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言,據TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3,需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量,2024年市場需求將大幅轉往HBM3,而2024年將直接超越HBM2
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三星 HBM4
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