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        HBM4將迎來大突破?

        • AI大勢下,高帶寬內存 (HBM) 從幕后走向臺前,備受存儲市場關注。近期,媒體報道下一代HBM將迎來重大變化,HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。自2015年以來,所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位,足以可見HBM4具備的變革意義。另據韓媒報道,三星為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產品制程技術,預計2026年量產HBM4。盡管HBM4將有大突破,但它不會很快到來。當前HBM市場以HBM2e為主,未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機
        • 關鍵字: HBM4  

        傳三星預計2026年量產新一代HBM4

        • 據韓媒報道,三星為了掌握快速成長的HBM市場,將大幅革新新一代產品制程技術,預計2026年量產新一代HBM產品,HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E,I/O接口數為每顆芯片1024個,擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言,據TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3,需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續放量,2024年市場需求將大幅轉往HBM3,而2024年將直接超越HBM2
        • 關鍵字: 三星  HBM4  
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        hbm4介紹

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