三星將采用HBM4內(nèi)存的混合鍵合

三星計劃在其 HBM4 中采用混合鍵合技術(shù)，以減少熱量并實現(xiàn)超寬內(nèi)存接口，該公司在韓國首爾舉行的 AI 半導(dǎo)體論壇上透露。相比之下，該公司的競爭對手 SK 海力士可能會推遲采用混合鍵合技術(shù)，EBN 報道。

高帶寬內(nèi)存 （HBM） 將多個存儲器件堆疊在基礎(chǔ)芯片上。目前，HBM 堆棧中的內(nèi)存芯片通常使用微凸塊（在堆疊芯片之間傳輸數(shù)據(jù)、電源和控制信號）連接在一起，并使用模塑底部填充質(zhì)量回流 （MR-MUF） 或使用非導(dǎo)電膜 （TC-NCF） 的熱壓縮等技術(shù)進行鍵合。

這些晶粒還使用嵌入在每個晶粒內(nèi)的硅通孔 （TSV） 垂直互連（通過每個 DRAM 晶粒傳輸數(shù)據(jù)、時鐘、控制信號、電源和接地）。然而，隨著 HBM 的速度越來越快，DRAM 器件的數(shù)量越來越多，微凸塊會變得效率低下，因為它們限制了性能和能效。

這就是混合粘合發(fā)揮作用的地方。混合鍵合是一種 3D 集成技術(shù)，通過鍵合銅到銅和氧化物到氧化物的表面來直接連接芯片，無需微凸塊?；旌湘I合支持低于 10 μm 的互連間距，與傳統(tǒng)的基于凸塊的堆疊相比，具有更低的電阻和電容、更高的密度、更好的熱性能，以及更薄的 3D 堆棧。

但是，有一個問題?；旌湘I合是一種相當昂貴的技術(shù)，雖然 HBM 存儲器的三大領(lǐng)先制造商都考慮將其用于 12-Hi HBM3E，但美光和三星最終使用了 TC-NCF，而 SK 海力士則使用了 MR-MUF。對于 HBM4，三星計劃使用混合鍵合，而 SK 海力士正在開發(fā)先進的 MR-MUF 技術(shù)以及混合鍵合作為備用工藝。

SK海力士可能會使用傳統(tǒng)的模制底部填充膠而不是混合粘接，這是有原因的?；旌湘I合所需的專用設(shè)備比傳統(tǒng)封裝工具貴得多，并且需要更多的晶圓廠物理空間。

這會影響資本效率，尤其是在晶圓廠占地面積有限的情況下。因此，SK海力士正在謹慎行事。如果它發(fā)現(xiàn)其先進的 MR-MUF 技術(shù)提供了相同（或類似）的性能結(jié)果和良好的產(chǎn)量，那么它寧愿繼續(xù)使用 MR-MUF 至少再一代。