三星旨在通過新一代 DRAM 和 HBM4 實現半導體回歸

Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半導體業務表現不佳，該業務占整體利潤的 50-60%。由于持續的技術問題，高帶寬內存（HBM）和其他高容量、高附加值內存產品未能從蓬勃發展的人工智能（AI）領域獲益。代工（合同芯片制造）和系統 LSI 業務也因未能爭取到主要客戶而繼續虧損。然而，隨著 Nvidia 的 HBM 大規模生產批準的可能性在第三季度增加，以及上半年積累的內存庫存得到清理，人們對業績反彈的預期正在增長。

根據行業消息，7 月 8 日三星電子的設備解決方案（DS）部門預計將報告第二季度銷售額 270 萬億韓元，營業利潤約為 100 萬億韓元。一些金融投資行業人士表示，營業利潤可能降至 4000 億韓元。

無法滿足 HBM 需求是最令人痛苦的方面。三星電子去年未能向全球最大的 AI 芯片公司英偉達供應第五代 HBM（HBM3E），今年未能按時交付其 12 層產品，導致沒有顯著的性能提升。

本季度存貨減值準備的影響也是業績下滑的主要原因。行業估計 DS 部門的存貨減值準備約為 10 萬億韓元。存貨減值準備是一種成本概念，反映當產品價格（存貨價值）下降且預期無法獲得原始市場價格時，價值的預期減少。這是通過在存貨減值準備中反映被認為難以銷售或可能難以銷售的產品，旨在預先解決潛在的危機因素。為及時供應而提前生產的 HBM3E 12 層產品，被認為屬于此類。

預計晶圓代工和系統 LSI 業務部門在本季度也將錄得約 20 萬億韓元的虧損。雖然晶圓代工業務部門使用 8 納米（納米，十億分之一米）工藝生產了任天堂 Switch 2 的核心芯片，系統 LSI 業務部門為新折疊手機 Galaxy Z Flip7 供應了移動應用處理器（AP）Exynos 2500，但由于未能獲得重要的大客戶，他們已經連續幾個季度持續虧損。

然而，行業觀察人士認為三星電子今年第二季度可能觸底反彈，從第三季度開始回升。

由于老式內存類型如 DDR4 和尖端內存的價格上漲，人們對業務狀況改善的預期正在增長，下半年被歸類為 IT 設備和半導體需求的旺季。證券公司預測，DS 部門將在第三季度和第四季度分別產生 30 億至 50 萬億韓元的營業利潤。

近日，AMD 和 Broadcom 等全球大型科技公司對 HBM 的出貨量有所增加，代工業務已開始大規模生產 2 納米芯片，預計來自大型科技公司的訂單量將有所增長。隨著系統 LSI 業務進入季節性高峰期，預計其虧損將減少，Exynos 2500 的銷量也將增加。

進入英偉達供應鏈也值得關注。除了供應 HBM3E 12 層產品外，還計劃加速 HBM4（第六代）產品的量產。

在 NAND 領域，公司預計將繼續執行其供應調整政策，同時專注于企業級固態硬盤（SSD）等高價值產品。一位行業內部人士表示：“從下半年開始，庫存風險預計將減少，隨著除英偉達外的客戶 HBM 供應量的增加，性能預計將有所提升。”

此外，還有望實現第六代最先進 DRAM 的 10 納米級大規模量產。三星電子已完成內部生產批準（PRA），并從下半年開始準備大規模的設施投資。

消費電子和顯示業務預計將在進入成熟的 IT 旺季時恢復業績。消費電子業務預計在第二季度實現了 140-150 萬億韓元的銷售額和約 300 億韓元的營業利潤。這歸因于第一季度由于關稅實施和提前購買而需求減少。然而，預計第三季度電視和家電業務將產生約 600 億韓元的營業利潤，受益于旺季效應。美國的唐納德·特朗普政府的關稅政策仍然是一個變量。

三星顯示，三星電子的子公司，預計將報告第二季度銷售額約為60萬億韓元，營業利潤約為5000億韓元。在下半年的情況下，隨著主要客戶推出新產品，證券行業預計營業利潤將超過1萬億韓元。