- 據 etnews 報道，據報道，蘋果已啟動其 2027 年 iPhone 的開發，引起了行業的廣泛關注，因為它計劃進行重大技術升級以紀念該設備 20 周年。以下是 Apple 可能整合到下一代 iPhone 中的一些潛在新技術。Apple 將使用 HBM 解鎖 iPhone 的 AI 功能該報告指出，設備端 AI 將需要顯著的內存進步，業界預計 Apple 將在 2027 年之前在 iPhone 中采用移動 HBM。消息人士稱，蘋果可能已經與三星電子和 SK 海力士等主要內存供應商討論
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- 在英偉達H20受到最新出口限制之后，其正在開發該芯片的降級版本，以尋求在有限政策空間內繼續開拓中國市場，最早可能在7月發布。降級版H20性能預計會有較為明顯的下調，尤其是在內存容量方面，據TrendForce報道英偉達可能會用GDDR取代HBM。英偉達HBM3的供應商是SK海力士和三星，其中SK海力士是主要供應商，如果降級版H20選擇換用GDDR，那么可能會對現有的供應鏈產生一定的干擾。同樣，三星和SK海力士也都有與英偉達在GDDR7上合作的經驗，值得注意的是，現階段GDDR7的供應主要由三星提供支持，S
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- 據稱，繼 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，這家美國芯片巨頭正在開發該芯片的降級版本，以在中國銷售。由于改進后的芯片預計將大幅削減，尤其是在內存容量方面，New Daily 的一份報告暗示 NVIDIA 可能會用 GDDR 取代 HBM，這可能會破壞內存供應鏈。正如路透社所指出的，Team Green 已經向中國主要的云提供商提供了有關即將推出的公告。據路透社報道，H20 的低調版本由新設定的技術限制塑造，最早可能在 7 月發布。目前，韓國《數字時報》報道稱，NVIDIA 堅持從三星和
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- 由于三星尖端制程良率偏低，以及美國特朗普政府關稅政策影響，處理器大廠AMD可能已經取消了三星4nm制程訂單，進而轉向了向臺積電美國亞利桑那州晶圓廠下單。這一決定標志著三星代工業務繼失去高通、英偉達等科技巨頭價值數十億美元的尖端芯片訂單后，再次遭遇重大挫折。
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- 三星已向其供應鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產品本月即將停產，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產服務器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產能削減至其生產份額的20%。這意味著內存制造商正加速產品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產品。ddr4和ddr5的區別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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- 4月24日消息，韓國內存巨頭SK海力士公布2025年Q1財報，Q1營業利潤同比增長158%，為7.44萬億韓元（約合52億美元），超過預期的6.6萬億韓元。營收同比增長42%，達到17.63萬億韓元。數據顯示，這是SK海力士第二好的季度業績，此前該公司上一季度營收和營業利潤均創歷史新高。作為英偉達HBM(高帶寬存儲器)的重要供應商，SK海力士受益于HBM等AI關鍵組件的強勁需求增長。2025年Q1，SK海力士在DRAM市場的份額超過三星。報告期內，SK海力士占據了DRAM市場36%的份額，而三星是34%。
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- 三星對此消息表示，無法確認。 但法人認為，HBM市場年復合成長率超過45%，三星傳停產舊規格的HBM，應有助于三星加快技術迭代，并鞏固其與SK海力士、美光的「三強爭霸」地位。與此同時，陸廠加快進攻高階存儲器市場。 長鑫存儲宣布16nm DDR5 DRAM已量產，性能超越SK海力士12nm產品，并計劃2025年將產能擴至每月18萬片晶圓，目標2026年切入LPDDR5與車用DRAM，為未來進軍HBM鋪路。長江存儲則靠Xtacking混合鍵合技術快速追趕，量產全球首款270層3D NAND Flash，與三星
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- 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未來三代AI服務器，不但規格、性能越來越強，HBM內存也是同步升級，容量、頻率、帶寬都穩步前進。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年發布，繼續采用HBM3E內存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升級為下一代HBM4內存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576繼續升級為加強版HBM4E內存；而到了2028年的Feynman全新架構有望首次采用HBM5內存。與此同時，SK海力士、三星、美光三大原廠也紛紛展示
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- 自SK海力士官網獲悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產品12層HBM4，并且全球首次向主要客戶提供了其樣品。據悉，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲器必備的世界最高水平速率，其容量也是12層堆疊產品的最高水平。該產品首次實現了最高每秒可以處理2TB（太字節）以上數據的帶寬，相當于在1秒內可處理400部以上全高清（Full-HD，FHD）級電影（5GB=5千兆字節）的數據，運行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同時，公司通過在該產品上采用已在前一代產
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- 2月17日消息，據BK最新報道，NVIDIA正與包括三星電子、SK海力士在內的主要內存半導體公司進行秘密談判，合作開發新型內存標準SOCAMM，并推動其商業化。16日，業內人士證實了這一消息。此舉標志著內存半導體領域的重大轉轉變，對B2B服務器市場和蓬勃發展的設備端AI領域都有潛在影響。據悉，SOCAMM被譽為新一代HBM（高帶寬存儲器），是系統級芯片高級內存模塊的縮寫，這是一種尖端的DRAM內存模塊，可極大增強個人AI超級計算機的性能。與小型PC和筆記本電腦中使用的現有DRAM模塊相比，SOCAMM的性
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- Micron Technology 已開始在新加坡建設其價值數十億美元的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施。該公司將向該工廠投資 70 億美元，因為預計在 AI 熱潮中，未來幾年對 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 內存的需求將猛增。該設施將于 2026 年開始運營。美光的高帶寬內存 （HBM） 封裝設施位于美光在新加坡現有的生產 3D NAND 和 DRAM 的晶圓廠旁邊。新的 HBM 裝配廠將于 2026 年投產，并計劃在 2027 年大幅提高產能。該設施將使用先進的人工智能驅動的自動化來
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- HBM（高帶寬內存）技術是即將到來的“內存內計算/處理”時代的一種“近內存計算（Near Memory Computing）/處理”階段。由于人工智能/機器學習的高需求，三星、SK海力士和美光這三大內存制造商正在HBM技術的開發上競相角逐。HBM是一種具有高帶寬和寬通道的3D堆疊DRAM器件，這意味著它非常適合高性能計算（HPC）、高性能圖形處理單元（GPU）、人工智能和數據中心應用所需的高能效、高性能、大容量和低延遲內存。因此，對于內存制造商而言，硅通孔（TSV）工藝集成和3D HBM DRAM芯片堆疊
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- 12 月 20 日消息，據 TheElec 報道，韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應 HBM 芯片的大單，但具體額度未知。消息人士稱，博通計劃從 SK 海力士采購存儲芯片，并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM，SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃明年將其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 產能擴大到 14~15 萬片（IT之家注：單位是 300mm 直徑的 12 英寸晶
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- 12 月 11 日消息，Marvell 美滿電子美國加州當地時間 10 日宣布推出“定制 HBM 計算架構”（Custom HBM Compute Architecture），可令各種 XPU 處理器實現更高的計算和內存密度。Marvell 表示這項可提升性能、能效、成本表現的新技術對其所有定制芯片客戶開放，并得到了三大 HBM 內存原廠 SK 海力士、三星電子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 計算架構”采用了非行業標準的 HBM I/O 接口設計，可帶來更優秀性能和最多 70% 的接口
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