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        hbm 文章 最新資訊

        三星擴大高帶寬存儲器封裝產能

        • 據外媒報道,三星正在擴大韓國和其他國家芯片封裝工廠的產能,主要是蘇州工廠和韓國忠清南道天安基地。由于人工智能領域激增的需求,下一代高帶寬存儲器封裝(HBM)的重要性日益重要,三星希望通過提升封裝能力,確保他們未來的技術競爭力,并縮小與SK海力士在這一領域的差距。· 蘇州工廠是三星目前在韓國之外僅有的封裝工廠,業內人士透露他們在三季度已同相關廠商簽署了設備采購協議,合同接近200億韓元,目的是擴大工廠的產能。· 另外,三星近期已同忠清南道和天安市簽署了擴大芯片封裝產能的投資協議,計劃在韓國天安市新建一座專門
        • 關鍵字: 三星  高帶寬存儲器  封裝  HBM  

        如何獲得足夠的HBM,并將其堆疊的足夠高?

        • 任何新的內存方法都必須具備可制造性與成本效益,方能被采用。
        • 關鍵字: HBM  

        AI需求持續爆發!“HBM霸主”SK海力士Q3營收、利潤雙創記錄

        • 獲悉,周四,SK海力士公布了創紀錄的季度利潤和營收,這反映出市場對與英偉達(NVDA.US)處理器一起用于人工智能開發的存儲芯片的強勁需求。作為英偉達的供應商,這家韓國存儲芯片巨頭第三季度的營業利潤達到7.03萬億韓元(51億美元),上年同期為虧損1.8萬億韓元,高于分析師預期的6.9萬億韓元。營收大增94%,達到17.6萬億韓元,而市場預期為18.2萬億韓元。今年以來,SK海力士股價累計上漲逾35%,原因是該公司在設計和供應為英偉達人工智能加速器提供動力的尖端高帶寬內存(HBM)方面擴大了對三星電子(S
        • 關鍵字: AI  HBM  SK海力士  

        消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業務規模,全力聚焦 HBM 等高利潤產品

        • 10 月 17 日消息,據韓媒 ZDNET Korea 當地時間昨日報道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業務規模,全力聚焦高利潤產品 HBM 以及 CXL 內存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業務的研發投資,同時月產能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據 3/4 市場份額,SK 海力士僅以 4% 排在第六位,遠遠落后于競爭對手。同時,SK 海力
        • 關鍵字: SK 海力士  CIS  HBM  內存  

        HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

        • TrendForce指出,隨著AI服務器持續布建,高帶寬內存(HBM)市場處高成長階段,平均售價約是DRAM產品的三至五倍,待下一代HBM3e量產,加上產能擴張,營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出,HBM市場仍處于高成長階段,由于各大云端廠商持續布建AI服務器,在GPU算力與內存容量都將升級下,HBM成為其中不可或缺的一環,帶動HBM規格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
        • 關鍵字: HBM  DRAM  TrendForce  

        HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰,2025年HBM是否過剩仍待觀察

        • 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇,而據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數,加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長,目前尚難判定是否會出現產能過剩局面。根據TrendForce集邦咨詢最新調查,Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)與Micron(美光)已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品,目前處于持續驗證階段。其中SK hynix與Micron進度較快,有望于今年底完成
        • 關鍵字: HBM3e 12hi  良率  驗證  HBM  TrendForce  

        HBM外另一大關注重點:新一代存儲器GDDR7是什么?

        • 隨著GDDR7存儲器標準規格于今年確定,存儲器業者開始推出GDDR7解決方案。與目前的GDDR6和GDDR6X相比,GDDR7提供大升級,提高游戲和其它類型工作負載的性能。什么是GDDR7存儲器呢?其實GDDR(Graphics Double Data Rate)的「G」,可以得知是用于GPU的顯示存儲器,如即將推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年問世,首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU,其起始的顯存時脈頻率為14
        • 關鍵字: HBM  存儲器  GDDR7  

        SK 海力士:美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內存意向

        • IT之家 8 月 20 日消息,據韓媒 MK 報道,SK 海力士負責 HBM 內存業務的副總裁 Ryu Seong-soo 當地時間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示,M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發定制 HBM 產品的意向。IT之家注:M7 即 Magnificent 7,指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作,與 M7 企業進行電話溝通,并為滿足這些企業的需
        • 關鍵字: 海力士  HBM  內存  

        HBM 帶動,三大內存原廠均躋身 2024Q1 半導體 IDM 企業營收前四

        • IT之家 8 月 13 日消息,據 IDC 北京時間本月 7 日報告,三大內存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導體 IDM(IT之家注:整合組件制造)企業營收榜單第 1、3、4 位,第二位則是英特爾。▲ 圖源 IDC報告表示,數據中心對 AI 訓練與推理的需求飆升,其中對 HBM 內存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價和對通用 DRAM 產能的壓縮也推動 DRAM 平均價格上升,使總體內存市場營收大幅成長。此外終端設備市場回穩,AI PC、智能手機逐步發售,同樣提升
        • 關鍵字: 內存  存儲  HBM  

        因 HBM3/3E 內存產能擠占,SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

        • IT之家 8 月 13 日消息,華爾街見聞報道稱,SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱,海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間:各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產能,這表明價格已經不太可能下降;再加上下半年是傳統旺季,預計價格會有所上漲。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道,SK 海力士等三大原廠采用 EUV
        • 關鍵字: 海力士  HBM  存儲  

        美光將在中國臺灣加碼投資,或聚焦HBM

        • 行業人士消息,美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月訪問中國臺灣,將帶來更進一步合作,例如在人工智能(AI)應用扮演重要角色的高帶寬存儲器(HBM)。據悉,美光將加碼在中國臺灣投資,除制造HBM先進制程外,不排除有機會在中國臺灣創建第二個研發中心。據悉,中國臺灣經濟部門于2021年5月申請領航企業研發深耕計劃(大A+),提出DRAM先進技術暨高帶寬存儲器研發領航計劃,在中國臺灣設立第一個研發中心,獲補助47億元新臺幣,將研發先進制程落腳在中國臺灣生產。2021年,美光在中國臺灣申請
        • 關鍵字: 美光  HBM  

        存儲技術,掀起一輪新革命

        • 內存市場迎來新一輪 DRAM 技術「革命」。
        • 關鍵字: HBM  

        存儲產業的下一個“新寵”是?

        • 人工智能AI浪潮下,以HBM為代表的新型DRAM存儲器迎來了新一輪的發展契機,而與此同時,在服務器需求推動下,存儲產業的另一大“新寵”MRDIMM/MCRDIMM也開始登上“歷史舞臺”。當前,AI及大數據的快速發展帶動服務器CPU內核數量同步增加,為滿足多核CPU中各內核的數據吞吐要求,需要大幅提高內存系統的帶寬,在此情況下,服務器高帶寬內存模組MRDIMM/MCRDIMM應運而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM標準細節當地時間7月22日,JEDEC宣布即將推出DDR5多路復用雙列直插式內存模組
        • 關鍵字: 存儲產業  HBM  MRDIMM  MCRDIMM  

        HBM4持續加速:AI時代競爭新焦點

        • HBM4是目前發布的HBM3標準的進化版,旨在進一步提高數據處理速率,同時保持基本特性,例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個芯片和/或堆棧容量 —— 這些對于需要高效處理大數據集和復雜計算的應用至關重要,包括生成人工智能(AI)、高性能計算、高端顯卡和服務器。
        • 關鍵字: HBM  AI  內存  

        臺積電要抄三星的后路

        • 在芯片制造領域,先進制程的影響力和統治力越來越大,已經從之前的邏輯芯片晶圓代工領域,拓展到最先進的存儲芯片制造,這在臺積電和三星身上有凸出的體現。當下的 3nm 制程晶圓代工,臺積電的市場統治力很明顯,三星處于弱勢地位。未來的 2nm 制程,三星必須加緊趕上,否則會越來越困難。在高帶寬內存(HBM)芯片制造方面,原本都由存儲芯片 IDM 大廠自家完成,但是,到了下一代的 HBM4,技術難度和制造難度提高了不少,需要更先進的制程工藝參與進來。2nm 制程針鋒相對據報道,臺積電將于 7 月中旬開始試生產 2n
        • 關鍵字: HBM  
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