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速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）是一種可以實(shí)現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品，適用于超級計(jì)算機(jī)、AI加速器等對性能要求較高的計(jì)算系統(tǒng)。隨著計(jì)算技術(shù)的發(fā)展，機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用日漸廣泛，而機(jī)器學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)是自20世紀(jì)80年代以來一直作為研究熱點(diǎn)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品，HBM在克服計(jì)算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進(jìn)設(shè)計(jì)工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個(gè)邏輯die與4-16個(gè)DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過
關(guān)鍵字：速度 HBM SK海力士

2020年6月28日，半導(dǎo)體和電子行業(yè)的年度盛會SEMICON China在上海隆重舉行。全球粘合劑市場的領(lǐng)先者漢高再次亮相此次展會，粘合劑技術(shù)電子材料業(yè)務(wù)在展會期間全方位展示了應(yīng)用于先進(jìn)封裝、存儲器和攝像頭模組等領(lǐng)域的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。先進(jìn)封裝目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于一段轉(zhuǎn)折期，數(shù)據(jù)爆炸性增長推動了以數(shù)據(jù)為中心的服務(wù)器、客戶端、移動和邊緣計(jì)算等架構(gòu)對高性能計(jì)算的需求，對5G部署、手持設(shè)備封裝中小型化和集成的持續(xù)需求，這些趨勢推動了先進(jìn)封裝逐步進(jìn)入成熟期。當(dāng)前半導(dǎo)體和封裝技術(shù)快速發(fā)展，對于芯片與電子產(chǎn)
關(guān)鍵字： SEMICON China HBM

　　挹注次世代存儲器半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術(shù)，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，英特爾預(yù)計(jì)2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
關(guān)鍵字：三星 HBM

　　除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個(gè)存儲巨頭的三星也進(jìn)入了HBM存儲芯片市場，并且開始在2016年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產(chǎn)第二代HBM芯片。　　　　　　業(yè)內(nèi)人士指出，無論是三星電子還是SK海力士都正在計(jì)劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產(chǎn)第二代高帶寬顯存芯片，而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的時(shí)間預(yù)計(jì)在2016年的第一季度，但在這之前的試產(chǎn)以及生產(chǎn)的可靠性測試已經(jīng)由SK海力
關(guān)鍵字： NV HBM

　　作為最老資歷的PC組成部件，內(nèi)存及內(nèi)存存儲體系已經(jīng)擁有了幾十年的歷史，其漫長的發(fā)展過程曾伴隨數(shù)次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發(fā)生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內(nèi)存。　　　　目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內(nèi)存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因?yàn)閮?nèi)存還依標(biāo)準(zhǔn)不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
關(guān)鍵字： HBM 美光

　　目前，AMD是唯一一家使用HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲產(chǎn)品)的公司，這要得益于他們和SK Hynix等合作伙伴的長期開發(fā)，據(jù)說長達(dá)8年半之久。　　　　HBM如其名，最大的特點(diǎn)就是高帶寬(確切地說是高位寬)，目前已經(jīng)可以做到單個(gè)顆粒1024-bit，GDDR5的足足32倍。同時(shí)，HBM每個(gè)堆棧的帶寬可以突破100GB/s，GDDR5的四五倍。　　更關(guān)鍵的是，HBM的電壓要求僅僅1.3V，低于GDDR5 1.5V，更加的節(jié)能。　　
關(guān)鍵字： AMD HBM

　　摘要：本文通過采用合適的過電流和過電壓保護(hù)元件，生產(chǎn)商可保證其產(chǎn)品成為用戶生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護(hù)元件也保證了各應(yīng)用產(chǎn)品符合安全和功能因素相關(guān)的規(guī)章條例的要求。　　許多用戶都沒有意識到他們自己每天在使用的電子設(shè)備存在著最大的風(fēng)險(xiǎn)。電路保護(hù)是所有電子設(shè)備必有的特性——不論是車載、家用或是工用電子設(shè)備——因?yàn)橹灰梭w接觸含敏感電子半導(dǎo)體的器件，就會出現(xiàn)ESD(靜電放電)現(xiàn)象。　　如果周圍的空氣特別干燥，比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷，剛把
關(guān)鍵字：電路保護(hù) ESD TVS 集成電路 HBM 201411

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