- 根据TrendForce预估，第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品，因智慧手机下半年展望不明，涨幅较低。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期，增强第三季回补动能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引发换机潮，以及DeepSeek一体机热潮，皆带动client SSD需求。此外，部分原厂积极推动大容量QLC产品，带动出货规模。 综合以上因素，预估第三季client SSD将季增3%至8%。随NVIDIA B
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NAND Flash
- 随着主要内存制造商将产能转向 DDR5 和 HBM，他们的 DDR4 淘汰时间表逐渐清晰。根据商业时报的报道，三星、SK 海力士和美光计划在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出货。TrendForce 的最新调查也显示，三大 DRAM 供应商正在将产能转向高端产品，并已开始宣布 PC 和服务器级 DDR4 以及移动 LPDDR4X 的停产计划。因此，预计 2025 年第三季度的传统 DRAM 合同价格将上涨 10%至 15%。包括 HBM 在内，整体 DRAM 价格预计将上涨 15%至 2
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存储 DDR4 HBM
- Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半导体业务表现不佳，该业务占整体利润的 50-60%。由于持续的技术问题，高带宽内存（HBM）和其他高容量、高附加值内存产品未能从蓬勃发展的人工智能（AI）领域获益。代工（合同芯片制造）和系统 LSI 业务也因未能争取到主要客户而继续亏损。然而，随着 Nvidia 的 HBM 大规模生产批准的可能性在第三季度增加，以及上半年积累的内存库存得到清理，人们对业绩反弹的预期正在增长。根据行业消息，7 月 8 日三星电子的设备解决方案（DS）部
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三星电子 HBM.半导体产业
- 三星电子在今年第二季度录得的营业利润明显低于市场预期，引发了对其高带宽内存 （HBM） 业务失败的担忧，这被视为这一缺口背后的最大原因，以及代工业务的潜在复苏。尽管存储半导体需求低迷，但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引领下取得了不错的成绩，而三星电子却在性能不佳的泥潭中苦苦挣扎。特别是，三星电子自第四代 HBM （HBM3） 以来，所有代 HBM 产品都未能取得显著成果，导致 SK 海力士和美光占据市场领先地位。根据国内证券公司的分析，三星电子的内存部门录得约 3 万亿韩元的营业利
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三星电子 半导体 HBM
- SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光 2600 NVMe™ SSD，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™，AWT），在兼顾 QLC
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美光 自适应写入 QLC NAND
- TrendForce最新释出的存储器市场观察指出，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动，但因供需未形成紧张态势，价格预期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的强劲涨势，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮，但这波动能可能难以延续至年底。根据通路查核，随着价格进入高档区间，供应商正逐步释出库存，预期第四季整体供应将逐步改善。DDR5方面，目前价格趋势稳定，2025年第二、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间。 不过，部分二线OE
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DDR4 NAND
- 纵观整个电子行业，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术、新产品可持续发展，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev
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AI推理 QLC NAND Flash
- 美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
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美光 HBM 内存
- 在 2025 财年第三季度 HBM 销售额增长近 50% 的推动下，美光公布了创纪录的收入，现在正着眼于另一个里程碑。据 ZDNet 称，这家美国内存巨头的目标是到 2025 年底将其 HBM 市场份额提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新闻稿中表示，它现在正在向 GPU 和 ASIC 平台上的四个客户交付大批量 HBM。因此，该公司预计到 2025 年下半年，其 HBM 市场份额将达到与其整体 DRAM 份额持平。据路透社报道，美光的强劲业绩反映了 NVIDIA 和 AMD
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Micron HBM GPU ASIC
- 美光在 2025 财年第三季度创纪录的收入是由 HBM 销售额增长近 50% 推动的，而且这种势头并没有放缓。正如 ZDNet 所指出的那样，这家美国存储器巨头现在的目标是到年底在 HBM 市场占据大约 25% 的份额。虽然其乐观的前景吸引了市场的关注，但人们也关注其全球产能扩张能否跟上步伐。以下是美光在国内外的最新制造举措。美国生产时间表指向 2027 年开始根据其新闻稿，2022 年 9 月，美光公布了一项价值 150 亿美元的计划，以扩建其位于爱达荷州博伊西的总部，该总部将拥有尖
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晶圆厂 美光 HBM
- 随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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三星 HBM 存储
- 据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亚科技 华邦电子 HBM
- 韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，包括封装、3D 堆叠、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储，甚至基于机器学习的方法来控制功耗。 请记住，该文件是关于 HBM 技术假设演进的，基于当前行业和研究方向，而不是任何商业公司的实际路线图。（图片来源：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34
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HBM.NAND
- 作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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三星 HBM 英伟达
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