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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 內(nèi)存 DRAM HBM
存儲(chǔ)大廠業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移？
- 近期，媒體報(bào)道三星電子在最新財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，未來(lái)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的重心不再放在消費(fèi)級(jí)PC和移動(dòng)設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級(jí)SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話會(huì)議上透露，公司計(jì)劃到今年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動(dòng)下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調(diào)整業(yè)務(wù)方向，專攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另?yè)?jù)媒體報(bào)道，三
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) HBM 先進(jìn)封裝
AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(zhǎng)
- 2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級(jí)，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對(duì)算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢(shì)，全球算力規(guī)模超高速增長(zhǎng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達(dá)，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，然
- 關(guān)鍵字： 三星 海力士 美光 HBM
2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
- 關(guān)鍵字： HBM DRAM TrendForce
SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力
- ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代
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價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)
- 市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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三星組建HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)
- 三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)。據(jù)外媒報(bào)道，近日，三星電子DS部門負(fù)責(zé)人慶桂顯表示，三星內(nèi)部正采取雙軌AI半導(dǎo)體策略，同步提高在AI用存儲(chǔ)芯片和AI算力芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)。此外，慶桂顯稱客戶對(duì)于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長(zhǎng)，并有部分客戶表達(dá)了將Mach系列芯片應(yīng)用于超1000B參數(shù)大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
- 關(guān)鍵字： HBM AI推理芯片
三星組建 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，加速 AI 推理芯片 Mach-2 開發(fā)
- 4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負(fù)責(zé)人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內(nèi)部正采取雙軌 AI 半導(dǎo)體策略，同步提高在 AI 用存儲(chǔ)芯片和 AI 算力芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。在 AI 用存儲(chǔ)芯片部分，三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人 Hwang Sang-joon 領(lǐng)導(dǎo) HBM 內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)，這是其今年建立的第二個(gè) HBM 專門團(tuán)隊(duì)。三星近期在 HBM 內(nèi)存上進(jìn)行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)軍地位：2019 年，三星因?qū)ξ磥?lái)市場(chǎng)的錯(cuò)誤預(yù)測(cè)
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM AI Mach-2
HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響
- HBM 即高帶寬內(nèi)存，是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片。如果說(shuō)傳統(tǒng)的 DDR 就是采用的"平房設(shè)計(jì)"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設(shè)計(jì)"方式。目前，HBM 產(chǎn)品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。可以看到，HBM 每一次更新迭代都會(huì)伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨(dú)特的 2.5D/3D 內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3 不僅
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美光表示24年和25年大部分時(shí)間的高帶寬內(nèi)存已售罄
- 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)上處于劣勢(shì)，但看起來(lái)情況正在迅速變化，因?yàn)樵摴颈硎酒?nbsp;HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時(shí)間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達(dá)的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計(jì)算，因此美光似乎準(zhǔn)備搶占相當(dāng)大的HBM市場(chǎng)份額。圖片來(lái)源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議準(zhǔn)備的講話中表示。“我們繼續(xù)預(yù)計(jì) HBM
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黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)正驗(yàn)證其 HBM 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息，本周二在美國(guó)加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會(huì)上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們?cè)?HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會(huì)之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會(huì)從三星采購(gòu) HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會(huì)上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
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存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場(chǎng)展示HBM3E產(chǎn)品
- 近日，存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DDR HBM
2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
- 邁過(guò)2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來(lái)放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來(lái)的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
- 關(guān)鍵字： DDR GDDR6 HBM
三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
- 關(guān)鍵字： 三星 MR-RUF DRAM HBM
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