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HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢(shì)可期
- 近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開(kāi)，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來(lái)臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢(shì)。 據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過(guò)輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其
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巨頭搶奪戰(zhàn)，HBM被徹底引爆
- 在英偉達(dá)一步步站穩(wěn)萬(wàn)億市值腳根的道路上，少不了兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)支持，其中之一是由臺(tái)積電主導(dǎo)的 CoWoS 先進(jìn)封裝，另一個(gè)便是席卷當(dāng)下的 HBM（高帶寬存儲(chǔ)）。英偉達(dá) H200 是首次采用 HBM3E 存儲(chǔ)器規(guī)格的 AI 加速卡。借助內(nèi)存速度更快、容量更大的 HBM3e，英偉達(dá) H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的內(nèi)存，與 A100 相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬也提升了 43%，從而加速生成式 AI 和大語(yǔ)言模型，提高高性能計(jì)算（HPC）的工作負(fù)載。隨著人工智能的興起，HBM 成為巨頭們搶
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)
- 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊，SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺(tái)下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠，用于測(cè)試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊，并增加帶寬。
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HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲(chǔ)廠商們準(zhǔn)備好了嗎？
- 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，參與HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的存儲(chǔ)廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)啟...?堆棧通道數(shù)較HBM3翻倍?據(jù)悉，JEDEC于7月10日表示，備受期待的高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) DRAM標(biāo)準(zhǔn)的下一個(gè)版本：HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將完成定稿。圖片來(lái)源：JEDEC官網(wǎng)截圖HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版，旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率，同時(shí)保持更高的帶寬、
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無(wú)需中介層實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開(kāi)發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時(shí)也縮短了先進(jìn)封裝流程。▲ 2.5D 集成結(jié)構(gòu)對(duì)比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無(wú)需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達(dá)到了傳統(tǒng)制造路線無(wú)法企及的精細(xì)度。結(jié)合信越化學(xué)開(kāi)發(fā)的光
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增
- AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場(chǎng)人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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HBM、先進(jìn)封裝利好硅晶圓發(fā)展
- 隨著人工智能技術(shù)快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動(dòng)先進(jìn)封裝以及HBM技術(shù)不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭對(duì)外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來(lái)的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時(shí)結(jié)構(gòu)下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報(bào)道，AI浪潮之下全球HBM嚴(yán)重供不應(yīng)求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴(kuò)產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術(shù)，HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片晶圓
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HBM之后存儲(chǔ)器市場(chǎng)掀起新風(fēng)暴
- AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無(wú)愧的“寵兒”，不斷吸引存儲(chǔ)器廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時(shí)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過(guò)HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)穩(wěn)步向前。GDDR7與HBM的差異GDDR7與HBM同屬于圖形DRAM，二者均具備高帶寬和高速數(shù)據(jù)傳輸能力，可為AI計(jì)算提供強(qiáng)大支持，不過(guò)GDDR7與HBM在技術(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景與性能表現(xiàn)方面略有不同。GDDR7主要用于增強(qiáng)GPU的可用帶寬和內(nèi)存容量，是GDDR家族的最新一代技術(shù)。今年3月
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開(kāi)始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場(chǎng)分析師預(yù)期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對(duì)后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求，人們對(duì)DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光
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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴(kuò)產(chǎn)
- 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動(dòng)市場(chǎng)對(duì)于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長(zhǎng)，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國(guó)內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國(guó)打造多條測(cè)試生產(chǎn)線以求擴(kuò)大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，同時(shí)擴(kuò)大在臺(tái)中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟(jì)新聞20日?qǐng)?bào)導(dǎo)，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標(biāo)在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達(dá)到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國(guó)SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴(kuò)大其愛(ài)達(dá)荷州博伊
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有望改變 AI 半導(dǎo)體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D
- IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報(bào)道同時(shí)指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡(jiǎn)寫(xiě)）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項(xiàng) 3DIC 先進(jìn)封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報(bào)道
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三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問(wèn)題，聲明巧妙回避
- 有報(bào)導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）產(chǎn)品因過(guò)熱和功耗過(guò)大等問(wèn)題，未能通過(guò)Nvidia品質(zhì)測(cè)試，三星對(duì)此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開(kāi)展HBM供應(yīng)測(cè)試，強(qiáng)調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測(cè)試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測(cè)試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”三星近期開(kāi)始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過(guò)程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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