- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠,必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶,有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露,該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
- GLOBALFOUNDRIES,世界先進半導體制造技術的領導者,今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術而開發的強化過的設計架構,在幫助那些采用先進工藝技術設計的客戶的進程上達到了一個關鍵里程碑。
GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence,Mentor Graphics,以及Synopsys合作開發出的新型設計流程,實現了從RTL到GDS的轉換。該流程包括了基于工藝技術的PDK和早期試用標準單元庫,形成一個數字設計“入門套件”,為設計人員進行物理實
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GLOBALFOUNDRIES FinFET
- 雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場的龍頭大廠,但為牽就蘋果(Apple)這個大客戶,內部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產能擴充彈性優勢,硬是將16納米FinFET制程技術訂為20納米下一棒的規劃藍圖。
反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術的懷抱后,即便蘋果仍可喂飽臺積電先進制程產能,但臺積電客戶結構從以IC設計公司為主,變成以系統廠獨霸半遍天,加上主要競爭對手也開始爭取到重要
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FinFET 晶圓
- Exynos 7420已經將與英特爾在2014年10月發表第一款14奈米Broadwell 處理器5Y70的差距縮小。
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三星 FinFET
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Galaxy Design Platform設計平臺被用于90%的FinFET設計量產
強勁的平臺采用率彰顯了Synopsys在FinFET數字和定制設計實現工具領域內的領先性
所有的FinFET晶圓代工廠都已經使用并認證了Galaxy Design Platform
新思科技公司(Synopsys, Inc.,納斯達克股票市場代碼:SNPS)日前宣布:其 Galaxy™ Design Platform 設計平臺支撐了90%基于FinFET設計的量產流
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Synopsys Galaxy FinFET
- 新思科技(Synopsys)宣布,Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設計量產投片,目前已有超過20家業界領導廠商運用這個平臺,成功完成超過100件FinFET投片。
格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠已經利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導體(H
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新思科技 FinFET
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產投片(production tapeout),目前已有超過20家業界領導廠商運用這個平臺,成功完成超過100件FinFET投片。
包括格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠已經利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶如Achronix、創意電
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Synopsys FinFET
- 聯電積極擴充28奈米產能,預計今年中月產能可達2萬片,28奈米毛利率將達平均水準。此外,聯電已建置月產能約3,000片的14奈米生產線,預計第2季進行第2代14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程試產,若下半年客戶產品陸續完成設計定案(tape out),明年將開始拉升產能進入量產階段。
聯電去年第4季28奈米投片大增,包括高通、聯發科等5家客戶晶片進入量產,并有逾10家客戶完成設計定案并展開試產,也讓28奈米占去年第4季營收比重正式突破5%。聯電已積極進行擴產,預估今年中可將28奈米月產能擴
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臺積電 三星 FinFET
- 益華電腦(Cadence Design Systems)宣布,已與通訊網路與數位媒體晶片組供應商海思半導體(HiSilicon Technologies)已經簽署合作協議,將于16奈米 FinFET 設計領域大幅擴增采用Cadence 數位與客制/類比流程,并于10奈米和7奈米制程的設計流程上密切合作。
海思半導體也廣泛使用Cadence數位和客制/類比驗證解決方案,并且已經取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權,將于矽中介層基底(silicon interp
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Cadence 海思 FinFET
- 三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開始量產采用14納米FinFET制程技術的A9芯片,這對于三星來說,在搶佔先進微細制程市場以及與蘋果(Apple)合作關系上,可以說是一箭雙雕。
據ET News報導,三星美國奧斯汀廠傳出已經開始量產采用14納米FinFET技術的蘋果A9。雖然美國奧斯汀廠以及韓國器興廠均擁有FinFET制程的產線,但由于為量產的第一階段,因此先由奧斯汀廠打頭陣。
此外分析指出,由于顧及次世代芯片性能資安以及供應等問題,奧斯汀廠是在蘋果的要求下首先
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三星 FinFET 14納米
- 時間一晃又到了2014年的12月份,在辛苦工作了一年之后,大家都在等待著合家團圓,而IT行業也在醞釀著新的一年的改變。最新的消息是,AMD公司的“RedTeam”披露了其明年的APU和GPU規劃,其中最引人注意的,自然是制程工藝的轉變。然而外媒也指出,AMD的16納米FinFET設計在2015年登陸主流市場并無望。
AMD首席技術官MarkPapermaster表示:“我公司的FinFET設計已經起步,但我們并不會是任何前沿技術的首個使用者”。換言
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AMD FinFET SoC
- 臺積電昨(12)日宣布,完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場效晶體管強化版)全球首顆網通芯片及手機應用處理器試產,預定本月完成所有可靠性試驗,明年7月正式量產。
這是臺積電拓展先進制程一大里程碑。業界認為,正值三星再度與臺積電爭奪蘋果下世代A9處理器訂單之際,臺積電16納米FinFET+技術到位后,將進一步拉大與三星差距,對臺積電而言,A9訂單「有如探囊取物」,最快明年夏天開始投產A9芯片。
臺積電昨天不對單一客戶導入16納米制程狀況置評,強調明年底前,估計將完成近60件產品設計定案
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臺積電 FinFET+
- 行動裝置如智慧型手機、平板電腦等應用領域,對于半導體晶片的需求走到超低功耗,制程技術從28奈米制程,到20奈米制程,將于2015年進入第一代3D設計架構的FinFET制程,也就是14/16奈米世代。
臺積電2015年下半即將量產16奈米世代,英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代,英特爾早一些量產,之后是三星,GlobalFoundries制程技術將屬于三星陣營。
臺積電因為為大客戶蘋果生產20奈米制程晶片,因此16奈
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16納米 FinFET
- 全球知名的電子設計創新領導者Cadence設計系統公司今日宣布其豐富的IP組合與數字和定制/模擬設計工具可支持臺積電全新的超低功耗(ULP)技術平臺。該ULP平臺涵蓋了提供多種省電方式的多個工藝節點,以利于最新的移動和消費電子產品的低功耗需求。
為加速臺積電超低功耗平臺的技術發展,Cadence將包括存儲器、接口及模擬功能的設計IP遷移到此平臺。使用Cadence TensilicaÒ數據平面處理器,客戶可以從超低功耗平臺受益于各種低功耗DSP應用,包括影像、永遠在線的語音、面部識
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Cadence 臺積電 FinFET
- 全球知名的電子設計創新領導者Cadence設計系統公司今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。 Cadence所提供的豐富IP組合能使系統和芯片公司在16納米FF+的先進制程上相比于16納米FF工藝,獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節約。
目前在開發16 FF+工藝的過程中,Cadence的IP產品組合包括了在開發先進制程系統單芯片中所需的多種高速協議,其中包括關鍵的內存、存儲和高速互聯標準。IP將在2014年第四季度初通過測試芯片測試。有關IP
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Cadence 臺積電 FinFET
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