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        3nm finfet 文章 最新資訊

        外媒:臺積電今年10月份開始安裝3nm芯片生產設備

        • 據國外媒體報道,在芯片制造工藝方面走在行業前列的芯片代工商臺積電,在2018年率先量產7nm芯片之后,今年將大規模量產5nm芯片,外媒此前的報道顯示,臺積電今年4月份就將開始為相關客戶大規模生產5nm芯片。在7nm投產已兩年、5nm工藝即將大規模量產的情況下,臺積電也將注意力放在了更先進的3nm工藝上。在最新的報道中,外媒就提到了臺積電3nm工藝方面的消息,其表示今年10月份,臺積電就將開始安裝生產3nm芯片的設備。3nm工藝是5nm之后,芯片制造工藝的一個重要節點。在2019年第四季度的財報分析師電話會
        • 關鍵字: 臺積電  3nm  

        面向3nm及以下工藝,ASML新一代EUV光刻機曝光

        • 很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產,與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現。而目前全球只有一家廠商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。很快,臺積電和三星的5nm工藝即將量產,與此同時,臺積電和三星的3nm工藝也在持續的研發當中。而對于5nm及以下工藝來說,都必須依靠EUV(極紫外)光刻機才能實現。而目前全球只有一家廠商能夠供應EUV光刻機,那就是荷蘭的ASML。目前ASML出貨的EUV光刻機主要是NXE:340
        • 關鍵字: 3nm  EUV  

        燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓練解決方案云燧T10

        • 在燧原科技(燧原)發布云燧T10之際,燧原與格芯(GLOBALFOUNDRIES)近日共同宣布推出針對數據中心培訓的高性能深度學習加速卡解決方案,其核心“邃思”(DTU)基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝技術,為云端人工智能訓練平臺提供高算力、高能效比的數據處理。燧原的“邃思”(DTU)利用格芯12LP ?FinFET平臺擁有141億個晶體管,采用先進的2.5D封裝技術,支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯。支持CNN/RNN等各種網絡模型和豐富的數據類型
        • 關鍵字: FinFET  2.5D  

        Intel最新制程路線圖曝光:10nm+++得到證實、2029年上馬1.4nm

        • 原文流傳年的幻燈片并非出自Intel官方,而是荷蘭光刻機巨頭ASML在Intel原有幻燈片基礎上自行修改的,5nm、3nm、2nm、1.4nm規劃均不是出自Intel官方,不代表Intel官方路線圖。Intel官方原始幻燈片如下:在IEDM(IEEE國際電子設備會議上),有合作伙伴披露了一張號稱是Intel 9月份展示的制造工藝路線圖,14nm之后的節點一覽無余,甚至推進到了1.4nm。讓我們依照時間順序來看——目前,10nm已經投產,7nm處于開發階段,5nm處于技術指標定義階段,3nm處于探索、先導階
        • 關鍵字: 英特爾  10nm  7nm  5nm  3nm  

        新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術上開發DesignWare IP核產品組合

        • 臺積公司5奈米 FinFET 強化版(N5P)制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法,可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技(Synopsys, In
        • 關鍵字: 新思  臺積合   FinFET 強化版N5P  

        格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案

        • 晶圓代工大廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布,與IC設計廠SiFive正在合作研發將高頻寬存儲器(HBM2E)運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案,以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務,可加速人工智能(AI)應用上市時間。
        • 關鍵字: 格芯  人工智慧應用  12LP+ FinFET  

        三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35%

        • 盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發、生產,但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進展,其中3nm工藝明年就完成開發了。三星在10nm、7nm及5nm節點的進度都會比臺積電要晚一些,導致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單,三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來的3nm工藝上,預計2021年量產。在3nm節點,三星將從FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管
        • 關鍵字: CPU處理器,3nm  

        臺積電:3nm工藝進展順利 已有客戶參與

        • 如今在半導體工藝上,臺積電一直十分激進,7nm EUV工藝已經量產,5nm馬上就來,3nm也不遠了。臺積電CEO兼聯席主席蔡力行(C.C. Wei)在投資者與分析師會議上透露,臺積電的N3 3nm工藝技術研發非常順利,已經有早期客戶參與進來,與臺積電一起進行技術定義,3nm將在未來進一步深化臺積電的領導地位。目前,3nm工藝仍在早期研發階段,臺積電也沒有給出任何技術細節,以及性能、功耗指標,比如相比5nm工藝能提升多少,只是說3nm將是一個全新的工藝節點,而不是5nm的改進版。臺積電只是說,已經評估了3n
        • 關鍵字: 臺積電  3nm  

        國產3nm半導體來了?只是學術進展

        • 今天有多家媒體報道了中國科研人員實現了3nm半導體工藝的突破性進展,香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管,相當于人類DNA鏈條寬度,這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學的限制。
        • 關鍵字: 3nm  半導體  

        臺積電Q1凈利潤暴跌32% 今年砸80億美元研發7/5/3nm工藝

        • 作為全球晶圓代工市場的一哥,臺積電一家就占了全球50-60%的份額,幾乎吃下所有7nm先進訂單。不過今年遇到了半導體市場熊市,臺積電Q1季度營收、盈利也不免受影響下滑,凈利潤暴跌了32%。不過臺積電今年依然要砸錢研發新工藝,預計會在7nm、5nm及3nm工藝研發上投資80億美元之多。
        • 關鍵字: 臺積電  Q1  7/5/3nm  

        三星2021年量產3nm工藝 性能提升35%

        • 在智能手機、存儲芯片業務陷入競爭不利或者跌價的困境之時,三星也將業務重點轉向邏輯工藝代工。在今天的三星晶圓代工SFF美國分會上,三星宣布四種FinFET工藝,涵蓋了7nm到4nm,再往后則是3nm GAA工藝了,通過使用全新的晶體管結構可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面積縮小45%。
        • 關鍵字: 三星  3nm  

        三星即將宣布3nm以下工藝路線圖 挑戰硅基半導體極限

        • 在半導體晶圓代工市場上,臺積電TSMC是全球一哥,一家就占據了全球50%以上的份額,而且率先量產7nm等先進工藝,官方表示該工藝領先友商一年時間,明年就會量產5nm工藝。在臺積電之外,三星也在加大先進工藝的追趕,目前的路線圖已經到了3nm工藝節點,下周三星就會宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺積電,而且會一步步挑戰摩爾定律極限。
        • 關鍵字: 三星  臺積電  3nm  

        3nm爭奪戰已打響

        • 科技的發展有時超出了我等普通人的想象,今年臺積電才開始量產7nm,計劃明年量產5nm,這不3nm又計劃在2022年實現量產,這樣的大踏步前進可以說是競爭爭奪激烈的結果、也是科技快速發展的結果。
        • 關鍵字: 3nm  臺積電  

        Mentor 擴展解決方案以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術

        •   Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認證。此外,Mentor 還繼續擴展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產品的功能,以支持 TSMC 的高級封裝產品。  TSMC 設
        • 關鍵字: Mentor  FinFET   

        格芯擴展FinFET產品新特性為全面實現未來智能系統

        •   格芯是全球領先的全方位服務半導體代工廠,為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設計、開發和制造服務。2018年9月25日, 格芯在其年度全球技術大會(GTC)上,繼在300mm平臺上面向下一代移動應用推出8SW RF SOI客戶端芯片后,格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產品中引入全套新技術,這是公司加強差異化投資的全新側重點之一,功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性。新工藝技術旨在為快速增長市場(如超大規模數據中心和自動駕駛汽車)應用提供更好的可擴展性和性
        • 關鍵字: 格芯  FinFET  
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