本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰略合作協議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數據中心。此外，該協議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術合作。 ARM全球執行副總裁兼產品事業群總裁
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ARM FinFET
三星(Samsung)即將量產用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續引發一些產業媒體的關注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進一步的更新。
業界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經在去年
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三星 FinFET
半導體業自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發展至16/14納米時，大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級，加上193i的光學技術延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP)，這已引起全球業界的關注。
而對于更先進5納米生產線來說，至今業界
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5納米 finFET
應用材料集團副總裁暨臺灣區總裁余定陸認為，在3D NAND和10奈米技術帶動下，今年晶圓代工資本支出有望回升。 應 用材料集團副總裁暨臺灣區總裁與全球半導體業務服務群跨區域總經理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底，預估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術;對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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晶圓 FinFET
一直在先進制程晶圓代工技術領域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術的商業化量產邏輯制程。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成，到2017年之后會將大多數10/14奈米訂單轉往三星：“三星會是未來高通14奈米晶片與數據
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三星 FinFET
盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應商，但在先進技術的投入上，仍然沒有手軟過。
AMD的GPU主力產品Radeon系列，在去年推出導入HBM(高頻寬記憶體)技術后，引來市場關注。AMD又在今天發布Radeon新一代的產品Polaris架構，采用14奈米FinFET制程，目前已經送樣給主要的OEM客戶，預計在今年年中進入量產時程，該產品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實境)與桌上型電腦等領域。
據AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示，Polaris架構有別于過往
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AMD FinFET
DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FinFET
最近，關于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強調的整機綜合續航差2~3%的準確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經可以說是板上釘釘的事了。
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A9處理器 臺積電 三星 Finfet
Intel曾經自己高調宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。
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Intel FinFET 14nm
這一年來半導體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢?
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FinFET ARM
鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力，已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著先進制程發展，該公司產品開發有兩大重點方向，一是電晶體與導線技術，另一個是圖形制作與檢測技術。
應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
這么多年，新工藝一直是AMD的痛點。早年自己生產進展跟不上，現在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺積電都跑去抱蘋果的大腿了，導致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。
不過在昨日的財務會議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經完成了流片，進展順利，接下來就可以去投產了。
她并沒有說具體是哪兩款產品(估計會是新架構ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰，臺積電16nm、GF14nm都有
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AMD FinFET
自去年國家集成電路產業投資基金(以下簡稱大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金的傳言不絕于耳。更有業者擔心大基金的投資會不會遍地開花，甚至會毀了中國整個集成電路產業。據最接近大基金的業內資深人士透露，這個擔心是多余的，大基金的“國家戰略+市場化運營”的機制以及股權投資基金業的游戲規則決定了它不會這么干!
市場上的私募股權投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無非是它有了
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集成電路 FinFET
美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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