格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。 格羅方德56Gbps SerDes 內核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
關鍵字：
格羅方德 FinFET
盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現在的4G網絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發展焦點已經向5G轉移，紛紛從技術研發、標準制定、產業儲備等方面入手，對5G進行全面布局。
“預計2022年全球將有5.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發展最快的兩大地區。”鑒于全球運營商的積極行動，業界紛紛調高了對5G發展速度的預期，愛立信在近期發布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
關鍵字：
三星 FinFET
半導體領域FinFET技術發明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網際網路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。
在中國大陸烏鎮舉行的第3屆世界互聯網大會，今年首次舉辦“世界互聯網領先科技成果發布活動”，由海內外網路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創新性的商業模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
關鍵字：
FinFET
大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
關鍵字：
SoC FinFET MOSFET
所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
關鍵字：
FinFET 電路設計
要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…
盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD
關鍵字：
制程 FinFET
新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產投片(production tapeout)，目前已有超過20家業界領導廠商運用這個平臺
關鍵字：
Synopsys FinFET
隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領先的晶圓代工廠商已經將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節點的SoC也已實現量產，那么半導體技術節點以摩爾定律的速度高速發展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰?同時，進入20納米技術節點之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發展變革?
5納米節點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
關鍵字：
處理器 FinFET
臺積電7月14日首度揭露最先進的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術藍圖。臺積電規劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對外提供代工服務，是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。
臺積電透露，配合客戶明年導入10納米制程量產，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務。臺積電強化InFO布局，是否會威脅日月光、矽品等專業封測廠，業界關注。
臺積電在晶圓代工領域技術領先，是公司維持高獲利的最大動能，昨天的新聞發布會上，先進制程布局，成為法人另一個關注焦點。
關鍵字：
臺積電 FinFET
在剛剛閉幕的2016年ITF(IMEC全球科技論壇)上，世界領先的獨立納米技術研究機構——IMEC的首席執行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸縮小)還會繼續，我不僅相信它將會繼續，而且我認為它不得不繼續。”
他認為，目前從技術層面來說，FINFET、Lateral Nanowire(橫向納米線) 和Vertical Nanowire(縱向納米線)已經可以幫我們持續推進到3nm的制程節點。EUV光刻技術將是未來的唯一選擇。
關鍵字：
3nm 半導體
ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。 此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
關鍵字：
ARM FinFET
據中新網、網易等報道，當地時間2016年5月19日，美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
關鍵字：
FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數不勝數，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
關鍵字：
AMD FinFET
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
關鍵字：
FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
關鍵字：
FD-SOI FinFET
3nm finfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3nm finfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473