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臺(tái)積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計(jì)最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺(tái)積電。半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對(duì)手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺(tái)積電最后也是最強(qiáng)一代之3納米FinFET。尤其臺(tái)積電再針對(duì)3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來仍會(huì)是主流客戶之首選。盤點(diǎn)目前智能手機(jī)旗艦芯片，皆使用臺(tái)積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計(jì)迭代進(jìn)入第
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Finwave籌集820萬美元短期投資以推動(dòng)市場發(fā)展

美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院（MIT）的研究人員于 2012
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“最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”

在該公司的北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營辦公室高級(jí)副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺(tái)積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制的硅資源。“我們的目標(biāo)是讓集成芯片性能成為一個(gè)平臺(tái)，”Zhang 說。截至目前，可用或計(jì)劃中 N3 變體是：N3B：基準(zhǔn) 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強(qiáng)版本，在相
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臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開蘋果首發(fā)

3月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬片晶圓，最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬片。與此同時(shí)，市場對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報(bào)告顯示，僅2025年第三、四季度，臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收，這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶，蘋果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預(yù)計(jì)iP
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英特爾最新的FinFET是其代工計(jì)劃的關(guān)鍵

在上周的VLSI研討會(huì)上，英特爾詳細(xì)介紹了制造工藝，該工藝將成為其高性能數(shù)據(jù)中心客戶代工服務(wù)的基礎(chǔ)。在相同的功耗下，英特爾 3 工藝比之前的工藝英特爾 4 性能提升了 18%。在該公司的路線圖上，英特爾 3 是最后一款使用鰭片場效應(yīng)晶體管（FinFET）結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，該公司于 2011 年率先采用這種結(jié)構(gòu)。但它也包括英特爾首次使用一項(xiàng)技術(shù)，該技術(shù)在FinFET不再是尖端技術(shù)之后很長一段時(shí)間內(nèi)對(duì)其計(jì)劃至關(guān)重要。更重要的是，該技術(shù)對(duì)于該公司成為代工廠并為其他公司制造高性能芯片的計(jì)劃至關(guān)重要。它被稱為偶極子功
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Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術(shù)的硅片成功流片

這款測試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet（FF）技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積，為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測試芯片通過加快產(chǎn)品上市進(jìn)程、提供同類最佳性能、及確保穩(wěn)健的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，堅(jiān)定客戶對(duì)Dolphin Design產(chǎn)品的信心，再度證實(shí)了Dolphin Design在混合信號(hào)IP領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號(hào)、處理知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）以及ASIC設(shè)計(jì)的行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商Dolphin De
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晶體管進(jìn)入納米片時(shí)代

3D 芯片堆疊對(duì)于補(bǔ)充晶體管的發(fā)展路線圖至關(guān)重要。
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺(tái)積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程

摘要：●? ?全新參考流程針對(duì)臺(tái)積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案。●? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率。●? ?集成的設(shè)計(jì)流程提升了開發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺(tái)積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設(shè)計(jì)系列產(chǎn)品，為追求更高預(yù)測精度
關(guān)鍵字：新思科技是德科技 Ansys 臺(tái)積公司 4 納米射頻 FinFET 射頻芯片設(shè)計(jì)

是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

●? ?新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案●? ?強(qiáng)大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設(shè)計(jì)效率，實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的仿真，從而更快將產(chǎn)品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺(tái)積電的先進(jìn)4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導(dǎo)體設(shè)計(jì)加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺(tái)積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖：FinFET將于3nm到達(dá)盡頭

近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖，分享對(duì)應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計(jì)劃。外媒報(bào)導(dǎo)，IMEC制程藍(lán)圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)。△Source：IMEC隨著時(shí)間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點(diǎn)會(huì)越來越貴，原有的單芯片設(shè)計(jì)方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計(jì)。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲(chǔ)器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電推出首創(chuàng)汽車級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

● 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸● 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米
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ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI

意法半導(dǎo)體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導(dǎo)體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運(yùn)營的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。新工廠將支持多種半導(dǎo)體技術(shù)和工藝節(jié)點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預(yù)計(jì)，該晶圓廠將于2024年開始生產(chǎn)芯片，到2026年將達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達(dá)62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠(yuǎn)，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現(xiàn)FinF
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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會(huì)，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo)：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
關(guān)鍵字： Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake

5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預(yù)測下一代半導(dǎo)體的性能

雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。泛林集團(tuán)在與比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術(shù)來探索端到端的解決方案，運(yùn)用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發(fā)了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評(píng)估工藝變化對(duì)電路性能的影響。這項(xiàng)研究的目的是優(yōu)化先進(jìn)節(jié)點(diǎn)FinFET設(shè)計(jì)的源漏尺寸和側(cè)墻厚
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FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

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