- 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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格芯 FinFET
- 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
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ALD 半導體制造 FinFET PVD CVD
- 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內容吧。
FinFET布局和布線要經受各種挑戰
隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設
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FinFET
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯網(IoT)應用所生產之同類芯片而來。
據EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產品而開發出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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英特爾 FinFET
- 繼網羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產業又有新動作。據報道，傳大陸行業領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發高層，他曾任臺積電資深研發處長。
之前蔣尚義加入中芯時，已經是半導體行業的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業經驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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中芯國際 FinFET
- 臺積電13日的法說會中，針對近期兩大熱門議題：日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址，一一對外界做最新的回覆。
自從臺積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后，臺積電對該案的態度備受市場關注，尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。
臺積電13日指出，內部確實評估過該案，但最后決定不去參與競標，主要是兩大原因，第一，內部認為這種標準型記憶體的商業模式和邏輯產業很不一樣，第二是
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臺積電 3nm
- 晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項，且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區媒體報道稱，臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。
擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩
臺媒引述指出，臺積電政策轉向，主因是南科高雄園區路竹基地，環評作業完成時間可能無法配合臺積電需求，加上空氣品質及臺灣電力后續穩定不佳，也是干擾設廠的變數。
臺積電表示，南科高雄園區路竹基地也未排除在外，持續觀察，選地尚未決定。至于電力問題，臺積電重申，考慮設廠地點，水、電、土地、人才，
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英特爾 3nm
- 臺科技部長陳良基15日接受經濟日報專訪時表示,他上任后主動拜會臺積電董事長張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協助,也會特別關注半導體產業,并從近程及長期著手協助產業升級。
對于空污總量管制等環保要求,會否影響臺積電3納米進程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒有不能解決的悲觀。」他并預言,以人工智能(AI)技術為主的沛星互動科技(Appier),十年后有可能成為另一個「臺積電」。
陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
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臺積電 3nm
- 潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業40多年來的最大變革。
胡正明目前仍深耕學術教育，為產學研界培育眾多優秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發性的見解。
肯定自己 解決問題就是創新
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FinFET
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。
高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內核——Qualcomm? Fa
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高通 FinFET
- 最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。
基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
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FinFET 摩爾定律
- 由于技術和商業上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
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