- 比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。
隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續微縮至更制程。
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FinFET 矽材料
- Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
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Mentor FinFET
- FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創新設計，變革了傳統晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。
FinFET這樣創新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業戰火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半導體制造
- 半導體業界已發展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術，促使市場競爭態勢急速升溫。
過去數10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發出高效能且更便宜的半導體晶片。
然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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半導體 FinFET
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業部高級副總裁兼總經理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。
SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內的挑戰是什么?
Kengeri ：眼下，我們正在談論的28nm到2
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FinFET 3D
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，并各自祭出供應鏈聯合作戰策略，預計將于2014～2015年陸續投入量產，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發展優勢，臺積電、聯電和格羅方德正傾力投資FinFET技術，并已將開戰時刻設定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯合作戰策略，期抗衡英特爾和三星
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FinFET 晶圓
- 英格蘭錫爾--(美國商業資訊)--世界領先的系統到芯片集成電路設計咨詢公司之一的英盛德認為，FinFET技術使用的日趨盛行將為集成電路設計商帶來新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受益。
工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業領域的最知名企業&md
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集成電路設計 FinFET
- 根據美國商業資訊報導，世界領先的系統到晶片積體電路設計顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認為，FinFET技術使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受惠。
工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展場中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產業領域的最知名企業&mdash
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Sondrel FinFET
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14納米FinFET前段閘極結合20納米后段金屬導線制程的方式達 成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入 FinFET世代的共通策略。
聯華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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晶圓 FinFET
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米后段金屬導線制程的方式達成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。
聯華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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晶圓 FinFET
- 晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。
臺積電董事長暨總執行長張忠謀提到，今年臺積電雖屢創季營收新高，但第四季因客戶調整庫存可能出現微幅下滑的情形。
臺積電董事長暨總執行長張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對
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臺積電 FinFET
- 聯華電子與全球半導體設計制造提供軟件、IP與服務的領導廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫的IP組合及 Galaxy?實作平臺的一部分-寄生StarRC?萃取方案，成功完成了聯華電子第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。
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聯華 新思 FinFET
- 聯華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯華電子將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS制程技術。
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聯華 IBM FinFET
- 里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術2015年量產，將可供應20奈米設備和16奈米FinFET制程，預估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現金流和回報率，給予買進，并將目標價從126元上調140元。
FinFET制程部分，里昂證券指出，FinFET技術是半導體產業在解決轉進20奈米瓶頸的相關技術，結構性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預計在2015年前，積極搶進16奈米FinFET晶片制造
里昂證券也指
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臺積電 FinFET
- FinFET技術是電子行業的下一代前沿技術，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統的平面型晶體管相比，FinFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優勢。英特爾已經在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術，同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
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Cadence FinFET 晶圓 201304
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