聯華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯華電子將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS制程技術。
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聯華 IBM FinFET
里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術2015年量產，將可供應20奈米設備和16奈米FinFET制程，預估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現金流和回報率，給予買進，并將目標價從126元上調140元。
FinFET制程部分，里昂證券指出，FinFET技術是半導體產業在解決轉進20奈米瓶頸的相關技術，結構性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預計在2015年前，積極搶進16奈米FinFET晶片制造
里昂證券也指
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臺積電 FinFET
FinFET技術是電子行業的下一代前沿技術，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統的平面型晶體管相比，FinFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優勢。英特爾已經在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術，同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
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Cadence FinFET 晶圓 201304
ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術生產的 ARM Cortex-A57 處理器產品設計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進一步提升未來行動與企業運算產品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運算應用的產品，此次合作展現了雙方在臺積公司FinFET制程技術上，共同優化64位元ARMv8處理器系列產品所締造的全新里程碑。
藉由 ARM Artisan 實體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創新平臺(Open Innov
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ARM FinFET
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該里程碑有助于加速對FinFET技術的采用，以實現更快和更高能效的系統級芯片(SoC)
該合作為3D器件建模和物理設計規則支持奠定了基礎
測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用
為芯片和電子系統加速創新提供軟件、知識產權(IP)及服務的全球性領先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵
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Synopsys FinFET
三星21日宣布成功試產第1顆導入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。
韓聯社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產出旗下第1顆采用FinFET技術的14納米測試芯片。
三星系統芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術可提升電子裝置效能并降低耗電量，進一步改善行動環境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構
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三星 FinFET 14納米
半導體產業正在轉換到3D結構，進而導致關鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關鍵元件參數對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術在先進半導
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半導體 FinFET ALD
聯電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術將于后年初開始試產。聯電正全力研發新一代14nmFinFET制程技術，預計效能可較現今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。
聯電執行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術將會是聯電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。
聯電執行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術才能實現，而此
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聯電 處理器 14nm FinFET
電子設計企業Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術，已經成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。
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Cadence、ARM、IBM三者之間已經達成了多年的合作協議
Cadence、ARM、IBM三者之間已經達成了多年的合作協議，共同開發14nm以及更先進的半導體工藝，14nm芯片和生態系統就是三方合作的一個重要里程碑。
這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設計IP的
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Cadence 芯片 FinFET
臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內推出首款測試晶片。
臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術對晶片設計人員帶來了極大挑戰。臺積電的發展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。
臺積電的目標提前在
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臺積電 FinFET ARM V8
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業界領先的非平面結構，它真正為移動系統級芯片(SoC)設計做了優化，能提供從晶體管到系統級的全方位產品解決方案。與目前20納米節點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現電池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節點，而且可能會在2015年下半年量產。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數。
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臺積電 FinFET
隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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SOI 體硅 FinFET
自從Intel正式對外公布22nm制程節點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態稱芯片代工市場在未來一段時間內(至少到下一個節點制程時)仍將采用傳統基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數幾套芯片產品，因此Intel方面要實現到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
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