- 摩爾定律的提出只為預測半導體行業的發展趨勢，但是隨著其在半導體行業的聲名鵲起，外界各行各業對于競相仿效。
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摩爾定律 3nm
- 近日，格芯2017技術大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心業務、市場推進方向與創新成果，以及包括制程工藝、設計實現、IP、射頻以及生態圈的發展等方面的最新進展，共同聚焦格芯面向5G互聯時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會，本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態系統、IoT，5G/網絡和汽車解決方案智能應用，FDX?、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 臺積電創始人兼董事長張忠謀在近日的一次公司會議上披露，臺積電將在2020年開工建設3nm工藝晶圓廠，但不會去美國設廠，而是堅持留在中國臺灣本土，確切地說是在南部科技園區。
張忠謀提出，臺積電相信當地政府會解決好3nm工廠建設所需的水電土地問題，并提供全力協助。
按照張忠謀此前的說法，3nm工廠建設預計會花費超過200億美元，同時有望帶動相關供應商跟進建廠，拉動臺南地區經濟發展。
他沒有透露3nm工廠何時完工、新工藝何時量產，但即便不考慮額外困難和挑戰，最快也得是2023年的事兒了。
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3nm 晶圓
- 詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
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FinFET 半導體工藝
- 10月7日，芯片代工廠臺積電宣布選址南科臺南園區興建3nm晶圓廠。據臺積電董事長張忠謀透漏，臺積電此次將投資約200億美元用于晶圓廠的建設，于2020年左右竣工，這也將成為全球首家3nm晶圓廠。
2016年末至2017年初，三星與臺積電先后推出10nm制程工藝，穩占手機芯片市場80%以上的市場份額。在這場角斗中，英特爾由于研發步伐稍微緩慢，錯失了市場先機。即使后來推出的10nm工藝遠超三星與臺積電，但是對于整體市場來說，并沒有太大影響。
臺積電面臨的局勢
臺積電主要客戶為蘋果、高通、
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臺積電 3nm
- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。
根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技術在物聯網蓬勃發展的大環境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優勢獲得業界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業的推動下，該產業鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發展集成電路的當口，FD-SOI技術還給中國企業帶去更多的發展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優勢，實現差異化創新成了眾IC設計企業的探討重點。此外，5G網絡與物聯網的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。
FD SOI生態系統逐步完
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FinFET 物聯網
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時代為IBM的云、商業和企業解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產品。 14HP是業內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態隨機存儲器(DRAM)以及其它創新功能，達到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
- 臺積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3nm制程應該會出來，2nm則有不確定性，2nm之后就很難了。
張忠謀表示，1998年英特爾總裁貝瑞特來臺時，兩人曾針對摩爾定律還可延續多久進行討論，他當時回答還有15年，貝瑞特較謹慎回答，大概還有10年。
現在已經2017年，張忠謀表示，兩人當時的答案都錯了;他指出，目前大膽預測摩爾定律可能再有10年。
張忠謀表示，臺積電明年將生產7nm制程，5nm已研發差不多，一定會出來，3nm也已經做2至3年，看來也是會出來。
張忠謀
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3nm 2nm
- 極紫外光(EUV)微影設備無疑是半導體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產供應，目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。
EUV設備賣價極高，原因是開發成本高，因此早期ASML為了分攤開發風險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發完成，臺積電后來全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。
有別于過去半導體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術，EUV微影設備是利
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臺積電 3nm
- 人工智能(AI)成為下世代科技發展重點，工研院 IEK 計劃副組長楊瑞臨表示，AI 終端載具數量將遠小于手機，半導體產業挑戰恐將增大，芯片業者應朝系統與服務領域發展。
工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)計劃副組長楊瑞臨指出，人工智能大致可分為數據收集與決策兩部分;其中，數據收集方面，因需要大量運算，應在云端進行。
決策方面，目前各國仍以云端發展為主，楊瑞臨表示，未來決策能否改由終端執行，是各界視為臺灣發展 AI 的一大機會。
只是無人機、自駕車、機器人與虛擬現實(VR)/擴增實境
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AI 3nm
- 近期因限電危機，傳出臺積電3nm廠可能轉往美國投資，臺灣“行政院長”林全表示，「臺積電在臺灣投資3nm廠是必然的」，現在的問題只是落腳哪里。
林全表示，包括臺南、高雄都拚命爭取臺積3nm廠落腳。 相較于其他企業也有很好的投資案，但地方政府就沒有這么大的回響，或許和企業形象、經營成功度、員工待遇都有很大關系。
外界質疑政府只關愛臺積電一家公司，林全反駁，政府對企業是「一視同仁的，不會有差別待遇」。 他以臺塑為例表示，臺塑遇到最大的挫折就是環評被退回，因此他去年上任后就
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臺積電 3nm
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
- 在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數字技術已經成為主流技術。混合信號解決方案過去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經遷移到系統應用中，在系統中第一次產生了模數轉換過程。 模擬技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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摩爾定律 FinFET
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