- 5月28日，三星電子在位于美國的 2018 年三星半導體代工論壇上，公布其全面的芯片制程技術路線圖，目前已經更新至 3nm 工藝。 據介紹，三星的 7nm LPP 將成為該公司首款使用EUV(極紫外光刻)方案的半導體工藝技術。以往三星的制程工藝都會分為 LPE 和 LPP 兩代，不過 7nm 算是個例外，沒有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 將于 2018 年下半年量產，2019 年的高通和三星芯片有望采用該制造工藝。 三星表示，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 將為 So
- 關鍵字：
三星 芯片 3nm
- 半導體業界為EUV已經投入了相當龐大的研發費用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經100%準備就緒，但是三星已經邁出了實現大規模量產的第一步。
- 關鍵字：
三星 EUV 3nm
- 自從28納米制程節點向下轉進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉進16/14納米先進制程過程中，又以GF歷經最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權，更成功將該節點制程落實在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
- 關鍵字：
GF FinFET
- 現在主要的代工廠都在生產FinFET晶體管，這些FinFET以創紀錄的速度實現了從設計到現貨產品的轉變。FinFET的發展普及一直都比較穩定，因為與平面器件相
- 關鍵字：
FinFET 動態功耗
- 臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準了一項約45億美元的資本預算。未來將會使用該預算來修建新的晶圓廠，而現在中國臺灣媒體報道稱，臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實現3nm制程芯片的量產。 根據臺灣《經濟日報》的報道，臺灣相關部門通過了「臺南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計劃環差案」，這項議案主要是為了臺積電全新的晶圓制造廠而打造。 據悉，臺積電計劃2020年開始建造最新的3nm制程的晶圓廠，同時最快可以在2022年實現對于3nm制程芯片的量產。目前臺積
- 關鍵字：
臺積電，3nm，芯片
- 9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經營業績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進入到客戶導入階段，可以預見量產目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產，對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領先于國內的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離。 根據中芯國際財報，第二季度不含技術授權收入(授權收入)確認的銷售額為8.379億
- 關鍵字：
中芯國際 14納米 FinFET
- 為了能夠充分發揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優勢， 必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰略和優化的IP相結合，其中包括了標準
- 關鍵字：
FinFET synopsys
- 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分
- 關鍵字：
FinFET 布線
- 近日，德克薩斯州聯邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元。 據了解，韓國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術的發明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性。 據悉
- 關鍵字：
三星 FinFET
- 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
- 關鍵字：
芯片 FinFET
- “半導體市場正在經歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網采訪時表示。 自1965年摩爾定律提出以來，歷經半個多世紀的發展，如今越來越遭遇挑戰，特別是新世紀以來，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機。 胡正明發明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創新為半導體帶來新契機。 2011年5月
- 關鍵字：
FinFET 7納米
- 在2018年，如果蘋果新一代產品應用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或將成為一場腥風血雨;而對于整個產業來說，或將成為轉折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。
- 關鍵字：
7nm FinFET
- 為2D互連和3D硅穿孔封裝提供顛覆性濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.今日宣布，其已獲得成果可有力支持在先進互連的后段制程中，在5nm及以下技術節點可繼續使用銅。 「值此銅集成20周年之際，我們的研究結果證實了IBM研究員Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主題演講中所表達的意見：『銅集成可持續使用』。」aveni執行長Bruno Morel指出。 由于器件要滿足(和創
- 關鍵字：
aveni 3nm
- 目前晶圓代工市場三強分立，Intel、三星、臺積電都在積極備戰之中。而中國市場也是這些大佬的兵家必爭之地，擁有了中國市場便擁有了全世界。晶圓市場暗流涌動，鹿死誰手猶未可知。
- 關鍵字：
晶圓 3nm
3nm finfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3nm finfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對3nm finfet的理解，并與今后在此搜索3nm finfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
