3nm finfet 文章 最新資訊
據(jù)報道三星押注4-7納米工藝，價格比臺積電高出30%，瞄準中國尚未進入的市場
- 雖然英特爾已從 18A 轉(zhuǎn)向 14A 進行戰(zhàn)略權(quán)衡，據(jù)報道三星通過優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協(xié)，根據(jù) ZDNet。同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導(dǎo)體巨頭還計劃通過將這些節(jié)點的價格定價比臺積電低約 30%來提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國競爭對手無法企及的領(lǐng)域。Chosun Biz 報道稱，三星的 4 納米工藝旨在通過 SF4U 提升約 20%的能效來贏得訂單。據(jù)三星稱，SF4U 是一款高端 4 納米變體，采用光學(xué)縮小技術(shù)來
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臺積電美國3nm晶圓廠基建完工，量產(chǎn)時間表曝光
- 據(jù)臺媒《工商時報》報道，臺積電為滿足客戶對美國制造需求的增長，正在加速推進其亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。供應(yīng)鏈透露，臺積電亞利桑那州二廠（P2）已完成基建，預(yù)計將在2027年實現(xiàn)3nm制程的量產(chǎn)。目前，臺積電正根據(jù)客戶對AI芯片的強勁需求，加快量產(chǎn)進度，整體時間表較原計劃有所提前。供應(yīng)鏈分析指出，臺積電此舉旨在回應(yīng)客戶需求，并應(yīng)對美國政府關(guān)稅政策的影響。據(jù)悉，亞利桑那州二廠的機臺最快將在明年9月進場安裝，首批晶圓預(yù)計在2027年下線。通常情況下，晶圓廠在完成基建后，還需要約兩年時間進行內(nèi)部廠務(wù)調(diào)整，臺積電的推
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臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵
- 市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米，預(yù)計最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程，企圖彎道超車臺積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星目前以GAAFET打造之3納米，約為目前競爭對手4納米FinFET水平，分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用，未來仍會是主流客戶之首選。盤點目前智能手機旗艦芯片，皆使用臺積電第二代3納米（N3E），僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計迭代進入第
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三星的3nm良率停留在50%，遠低于臺積電的90%
- 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點上獲得了牽引力（據(jù)報道來自任天堂的訂單），但它繼續(xù)在先進的 3nm 水平上苦苦掙扎。據(jù)韓國媒體 Chosun Biz 報道，即使經(jīng)過三年的量產(chǎn)，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報道稱，谷歌的 Tensor G5 正在轉(zhuǎn)向臺積電的 3nm，遠離三星。正如 9to5Google 所強調(diào)的那樣，據(jù)報道，這家搜索引擎巨頭已在未來 3 到 5 年內(nèi)與臺積電鎖定了 Tenso
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小米雷軍：芯片團隊已具備相當強的研發(fā)設(shè)計實力
- 5 月 27 日消息，小米創(chuàng)辦人、董事長兼 CEO 雷軍今日早發(fā)文：“玄戒 O1 最高主頻 3.9GHz，這足以說明我們芯片團隊已經(jīng)具備相當強的研發(fā)設(shè)計實力。”官方數(shù)據(jù)顯示，小米玄戒 O1 處理器安兔兔跑分超過了 300 萬分，擁有 190 億個晶體管，采用了全球最先進的 3nm 工藝，芯片面積僅 109mm2。架構(gòu)方面，小米玄戒 O1 采用了十核四叢集 CPU，擁有雙超大核、4 顆性能大核、2 顆能效大核、2 顆超級能效核，超大核最高主頻 3.9Hz，單核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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小米自研3nm“大芯片”已開始大規(guī)模量產(chǎn)
- 今天，小米集團董事長雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設(shè)計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1已開始大規(guī)模量產(chǎn)，搭載小米玄戒O1兩款旗艦，小米手機15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設(shè)計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)。今年2月，聯(lián)發(fā)科技CEO蔡力行第四季度財報會議上表示，小米自研手機SoC芯片或?qū)⑼鈷炻?lián)發(fā)科基帶芯片。根據(jù)他的透露，ARM和小米正在促成一項AP芯片的研發(fā)項目，聯(lián)發(fā)科也有參與，并提供調(diào)制解調(diào)器芯片。此前據(jù)外媒WCCFtech報道，
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小米確認推3nm SoC，承諾10 年內(nèi)投69億美元開發(fā)芯片
- 小米最近在宣布其自主開發(fā)的智能手機 SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關(guān)注。據(jù)中國媒體《明報》報道，小米首席執(zhí)行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露，該芯片采用 3nm 工藝制造，這標志著中國公司首次成功實現(xiàn) 3nm 芯片設(shè)計的突破。這家中國科技巨頭正在加大其芯片開發(fā)力度。據(jù)《華爾街日報》報道，小米計劃在至少 10 年內(nèi)投資近 70 億美元用于芯片設(shè)計。創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官雷軍周一在微博上發(fā)文透露了這一投資數(shù)字。報告指出，小米發(fā)言人補充說，這項 500 億元人民幣（相當于 69.4 億美元）的投資
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或有多個版本！又有小米自研芯跑分曝光：10核3nm設(shè)計、超驍龍8 Gen 3
- 5月20日消息，雷軍之前已經(jīng)宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個代號，最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設(shè)計的朋友應(yīng)該都清楚，廠商在規(guī)劃一款芯片設(shè)計時，必然會有多款相關(guān)版本的衍生，所以這更像是一個大類，而非具體到一個型號。有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，Geekbench 6.1.0上出現(xiàn)了小米新機的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現(xiàn)亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
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雷軍發(fā)文確認：小米玄戒O1采用第二代3nm工藝制程
- 5月19日，雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設(shè)計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設(shè)計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)。回顧了小米第一代自研手機SoC“澎湃S1”的失敗經(jīng)歷，從2014年9月立項，到2017年正式發(fā)布，“因為種種原因，遭遇挫折”，暫停了SoC大芯片的研發(fā)，轉(zhuǎn)向了“小芯片”路線。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線增強芯片等“小芯片”，在不同技術(shù)賽道中慢慢積累經(jīng)驗和能力。直到2021年初，小米宣布造車的同時，還在內(nèi)部重啟“大芯片
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Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展
- 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對其獨特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院 （MIT） 的研究人員于 2012
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高通新一代驍龍?zhí)幚砥骰虿捎门_積電3納米制程
- 據(jù)外媒wccftech報道，高通計劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術(shù)論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預(yù)計采用臺積電第三代3納米節(jié)點制程N3P打造，相較于前代產(chǎn)品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預(yù)計達到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內(nèi)存容量增加至16MB，使
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“最后也是最好的FINFET節(jié)點”
- 在該公司的北美技術(shù)研討會上，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標是讓集成芯片性能成為一個平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
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