IT之家 5 月 17 日消息，臺積電近日舉辦技術研討會，表示其 3nm 工藝節點已步入正軌，N3P 節點將于 2024 年下半年投入量產。N3P 基于 N3E 工藝節點，進一步提高能效和晶體管密度。臺積電表示 N3E 節點良率進一步提高，已經媲美成熟的 5nm 工藝。IT之家查詢相關報道，臺積電高管表示 N3P 工藝目前已經完成質量驗證，其良品率可以接近于 N3E。作為一種光學微縮工藝，N3P 在 IP 模塊、設計規則、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此臺積電表示整個過渡過程非常順利。N
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最新消息，臺積電官網宣布，在亞利桑那州建設的第二座晶圓廠制程工藝將由最初計劃的3nm升級為更先進的2nm，量產時間也由2026年推遲到了2028年。2022年12月6日，在臺積電亞利桑那州第一座晶圓廠建設兩年多之后宣布建設第二座晶圓廠。在今年一季度的財報分析師電話會議上，CEO魏哲家提到這一座晶圓廠已經封頂，最后的鋼梁已經吊裝到位。對于將第二座晶圓廠的制程工藝由最初計劃的3nm提升到2nm，臺積電CEO魏哲家在一季度的財報分析師電話會議上也作出了回應，他表示是為了支持AI相關的強勁需求。在OpenAI訓練
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這款測試芯片是業界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩健的產品設計，堅定客戶對Dolphin Design產品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產權（IP）以及ASIC設計的行業領先供應商Dolphin De
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最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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3D 芯片堆疊對于補充晶體管的發展路線圖至關重要。
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2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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據外媒，除了傳統客戶聯發科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術生產下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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11月6日，聯發科發布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創新，取消了低功耗核心簇，轉而采用“全大核”架構，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯發科予以否認并聲稱其性能表現出色。近期有爆料稱聯發科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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IT之家 11 月 22 日消息，臺積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個客戶在用，那就是蘋果。根據中國臺灣《工商時報》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元（IT之家備注：當前約 14.3 萬元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付，而且蘋果目前也預訂了臺積電今年大部分 3nm 產能。隨著 3nm 代工產能拉升，臺積電 3nm 產能今年底有望達到 6～7 萬片，全年營收占比有望突破 5％，明年更有機會達到 1 成。據稱，在英偉達、高通、聯發科
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10月31日消息，蘋果舉行新品發布會，線上發布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎款同時公布，蘋果官方在發布會中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統一內存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統一內存，速度最高比
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摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。●? ?業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。●? ?集成的設計流程提升了開發者的生產率，提高了仿真精度，并加快產品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產品，為追求更高預測精度
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作為當前全球最先進的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產，其中三星電子是在6月30日開始量產，臺積電則是在12月29日開始商業化生產。從外媒最新的報道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。此前預計三星的良品率在今年將超過60%，臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認為是完整的3nm制程工藝產品。3n
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●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設計效率，實現更準確的仿真，從而更快將產品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導體設計加速發展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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目前三星和臺積電（TSMC）都已在3nm制程節點上實現了量產，前者于2022年6月宣布量產全球首個3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動3nm工藝的大規模生產，蘋果最新發布的iPhone 15 Pro系列機型上搭載的A17 Pro應用了該工藝。據ChosunBiz報道，雖然三星和臺積電都已量產了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術，而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術，無論如何取舍和選
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