- 據外媒報道，三星宣布3nm工藝技術已正式發(fā)流片。據報道，三星的3mm工藝采用GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構。 報告稱，三星在3納米工藝中的流片進展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生產工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結構，而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結構。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform。 在技術性能方面，基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿足一定柵極寬度的要求。這主
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三星 3nm
- 作為全球第一大晶圓代工廠，尤其是率先量產了先進的7nm、5nm工藝之后，臺積電已經成為影響全球半導體產業(yè)的重要一環(huán)。接下來臺積電還會量產3nm工藝，然而海外投資者這時候看衰臺積電，認為3nm節(jié)點太貴，臺積電將失去關鍵優(yōu)勢。 臺積電現在業(yè)績正佳，不少投行都是看好未來的，但也有投行發(fā)表了相反的看法，認為臺積電被高估了，將其股價評級為中性，目標股價下調到580新臺幣，比其他同行的目標價少了20%左右。 臺積電被看衰的一個重要因素就是3nm工藝，原來臺積電預計2022年量產3nm工藝，最近有傳聞說是會延期
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- 相關數據表明，近日華為技術有限公司申請注冊“麒麟處理器”商標，申請時間為上個月22日，目前狀態(tài)為“注冊申請中”。華為的芯片并沒有停止研發(fā)，而是緊鑼密鼓的設計中，等待著機會卷土重來。華為徐直軍前不久也表示稱，海思的任何芯片現在沒有地方加工，作為華為的芯片設計部分，它并非追求盈利公司，但華為對其沒有盈利訴求，隊伍將會一直持續(xù)的存在。目前海思依然不斷做研究，繼續(xù)開發(fā)、繼續(xù)積累，為未來做些準備。而更加重磅的消息是，華為的最新3nm芯片已經開始研發(fā)和設計了，最終命名為麒麟9010，然而從制造廠來看，目前臺積電的3n
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華為 3nm 麒麟9010
- 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個客戶，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務；另一方面，就容量和技術而言，他們必須領先于其他任何人；就產能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進技術的產能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產能擴大，擴大后的產能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動（WSP
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2nm 3nm 晶圓 代工
- 近十年以來，隨著互聯網技術的快速更新和以智能手機為代表的智能化產品的快速普及，芯片作為其中的關鍵材料，同樣迎來了發(fā)展的高速期，成功從昔日的100nm工藝制程發(fā)展到5nm工藝制程，這一速度令所有人驚訝。然而5nm并不是人們追求的最終目標。就目前而言，5nm芯片雖然在性能上有著卓越的表現，但距離理想狀態(tài)還是有著一定的差距，人們也在此基礎上對其進一步研發(fā)，以提高芯片工藝制程水平，讓芯片為未來的智能化產品提供更為優(yōu)良的基礎。前不久，三星就成功展示了自己已經出具成果的3nm芯片，臺積電之后肯定會緊隨其后。毫無疑問，
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- 關于芯片，大多數小伙伴了解到的，當下最先進的生產工藝是5nm，當然也一直流傳臺積電正在研發(fā)3納米，甚至2納米的生產工藝。其中臺積電一直在技術上處于領先地位，可誰也沒想到的是，三星率先發(fā)布了3nm芯片。在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上，三星首發(fā)應用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片，將半導體工藝再度推上一個進程，國際固態(tài)電路大會我在之前的視頻里提到過好多次，是世界最權威的行業(yè)會議，所以這也證明的三星的技術實力真的很強。而我國目前在生產工藝上，最厲害的中芯國際也只停留在今年可以實現7nm試
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三星 3nm
- 3月30日消息去年 8 月，臺積電總裁魏哲家在臺積電技術論壇上表示，3nm 預計 2021 年試產，將于 2022 年下半年量產。 據財聯社，供應鏈消息傳出，臺積電 3nm 制程進展順利，試產進度優(yōu)于預期，已于 3 月開始風險性試產并小量交貨。 臺積電對此消息回應稱，不評論市場傳聞。 IT之家了解到，臺積電董事長劉德音此前透露 3nm 按計劃時程發(fā)展，進度甚至較原先預期超前。 據臺媒Digitimes 此前報道，臺積電隸屬于 5nm 家族的 4nm 制程，原本預計 2021 年第四季度試產，2
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- 近期臺積電（TSMC）和蘋果更緊密和高效的合作，使得研發(fā)上取得了多項突破。 目前手機開始大量使用基于5nm工藝制造的芯片，即將推出的A15 Bionic預計將使用更先進的N5P節(jié)點工藝制造，預計蘋果將在2021年占據臺積電80%的5nm產能。不過臺積電很快將向3nm工藝推進，并且進一步到2nm工藝，這都只是時間問題。 據Wccftech報道，為了更好地達成這些目標，臺積電和蘋果已聯手推動芯片的開發(fā)工作，將硅片發(fā)展推向極限。臺積電和蘋果都為了同一個目標而努力，不過受益者可能不只是蘋果，還有英特爾。臺
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- 在新制程工藝推進速度上，臺積電已經徹底無敵，Intel、三星都已經望塵莫及。據最新消息，臺積電將在今年下半年提前投產3nm工藝，雖然只是風險性試產和小規(guī)模量產，但也具有里程碑式的意義。很自然的，臺積電會在明年大規(guī)模量產3nm，初期產能每月大約3萬塊晶圓，到了2023年可達每月10.5萬塊晶圓，趕上目前5nm的產能，而后者在去年第四季度的產能為每月9萬塊晶圓。根據臺積電數據，3nm雖然繼續(xù)使用FinFET晶體管，但是相比于5nm晶體管密度增加70％，性能可提升11％，或者功耗可降低27％。據悉，蘋果將是臺積
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- 據外媒最新消息稱，臺積電有望在2022年下半年開始啟用3nm制造工藝，屆時該晶圓廠將有能力處理3萬片使用更先進技術打造的晶圓。據報道，得益于蘋果的訂單承諾，臺積電計劃在2022年將3nm工藝的月產能擴大到5.5萬片，并將在2023年進一步擴大產量至10.5萬片。3nm工藝比5nm工藝的功耗和性能分別提升30%和15%。臺積電計劃在今年全年擴大5nm工藝的制造能力，以滿足主要客戶日益增長的需求。根據今天的報告，臺積電將在2021年上半年將規(guī)模從2020年第四季度的9萬片提升至每月10.5萬片，并計劃在今年下
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- 現在的集成電路制造技術其核心就是光刻技術，這種方法與照相類似，就是將掩模版上的圖形轉移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的硅片上。
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- 巨頭們進一步更新自家產品線。 1月11-14日，CES消費電子展在線上拉開2021年科技界的序幕，除了機器人、可穿戴、未來電視等終端產品之外，核心的芯片廠商也亮出大招，展開新一代處理器的軍備競賽。 其中，英特爾在CES發(fā)布會上猛秀技術肌肉，推出了四大全新處理器家族，主要面向PC端的商用、教育、移動和游戲計算領域，一共涉及50多款處理器產品，并將在2021年推出500多款全新的筆記本電腦和臺式機。其中就包括第11代酷睿S系列臺式機處理器（代號
“Rocket Lake-S”）及其下一代處理器（代號
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- 據臺媒報道，業(yè)內人士透露，目前臺積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開發(fā)過程中都遇到了瓶頸。因此二者3nm制程工藝的開發(fā)進度都將放緩。此前，按臺積電公布的計劃，3nm將于今年完成認證與試產，2022年投入大規(guī)模量產，甚至業(yè)界有傳聞稱蘋果已率先包下臺積電3nm初期產能，成為臺積電3nm的第一批客戶。此前業(yè)界預計臺積電和三星的3nm工藝都會在2022年實現量產，而臺積電有望領先三星至少半年。此前臺積電曾宣稱，其3nm工藝會比目前最新的5nm工藝性能提升10%-15%，功耗將降低20%-25%。臺積電20
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- 外媒報道，臺積電和三星在3nm工藝技術的開發(fā)中遇到了不同卻關鍵的瓶頸。 因此，臺積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術的開發(fā)進度。不過，臺積電依然計劃，今年3nm工藝將完成試生產，并預計2022年批量投入生產。三星采用的是“GAAFET”架構，業(yè)內人士認為它可以更精確控制跨通道的電流，并有效縮小芯片面積以降低功耗。而臺積電使用的是更為成熟的“FinFET”架構以用于其3nm制程。截止目前，有報道稱，蘋果已經占據了臺積電的3nm工藝訂單中的很大一部分，意味著蘋果會成為臺積電3nm工藝的首批客戶之一。若3nm工
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3nm finfet介紹
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