Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發展

美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創新者轉變為產品驅動型公司。

這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012 年創立，當時名為 Cambridge Electronics，并于 2022 年 6 月更名為 Finwave Semiconductor（在加利福尼亞州圣地亞哥和灣區設有辦事處），其產品組合包括氮化鎵 （GaN） FinFET、增強模式 （E-mode） MISHEMT 和高性能射頻開關。

首席執行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示：“本輪融資驗證了我們專有硅基氮化鎵技術背后的多年工程和創新，并為我們提供了從開發階段轉向交付差異化高性能產品所需的資源。

Finwave 將利用這筆投資來加速創收，擴大其產品組合，并繼續為以下目標細分市場開發硅基氮化鎵技術：高功率射頻開關、用于通信基礎設施的功率放大器和用于移動設備的功率放大器。

“自我們最初投資以來，Finwave 在成為硅基氮化鎵高性能射頻元件的領導者方面取得了顯著進展，”Fine Structure Ventures 的高級董事總經理 Jennifer Uhrig 評論道。“他們與 GlobalFoundries 的戰略代工合作伙伴關系以及與 RFMW 的分銷合作伙伴關系尤其引人注目，這使他們的設計能力合法化，并讓客戶對 Finwave 將高性能、可靠產品推向市場的能力充滿信心，”她補充道。

據稱，Finwave 的硅基氮化鎵技術改進了 GaN 解決方案的卓越性能，同時利用了大批量 CMOS 硅晶片的成本和規模制造優勢。其產品組合包括高功率射頻開關，由于 Finwave 與射頻分銷商 RFMW 的合作，這些開關現已在全球范圍內銷售，以及即將推出的射頻功率放大器。

“作為 Finwave 的早期投資者，我們有幸在團隊推進麻省理工學院射頻半導體技術、實現世界紀錄的射頻性能時為他們提供支持，”Engine Ventures 的普通合伙人 Reed Sturtevant 指出。

“未來幾年，許多行業將從 Finwave 平臺中受益匪淺，”Safar 的管理合伙人 Arunas Chesonis 補充道。

Finwave 的產品路線圖旨在充分利用 GaN 的潛力，旨在提供具有成本效益的射頻器件，提供增強的性能，并實現更高效的射頻系統。該公司獨特的硅基氮化鎵射頻芯片針對射頻應用，包括通信基礎設施（基站、MIMO、小基站、陸地移動無線電（LMR，客戶本地設備，固定無線接入，Wi-Fi路由器，衛星，雷達，無人機，反無人機，反無人機，測試和測量設備，以及醫療設備。