IT之家 8 月 22 日消息，Digitimes 報告稱，臺積電計劃在今年晚些時候開始量產 3nm 芯片，用于即將推出的 MacBook 機型和其他產品。報告的付費預覽內容中寫道：“后端公司對即將推出的 MacBook 芯片的需求持樂觀態度，該芯片將使用臺積電的 3nm 工藝技術制造，據業內消息人士稱，該芯片將于今年晚些時候開始生產。”不過，至少在 2023 年第一季度之前，臺積電不太可能從整體 3nm 芯片生產中獲得可觀的收入。這一信息與臺灣《商業時報》上周的一篇報道一致，該報道稱臺積電將在 2022
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蘋果 MacBook Pro 3nm 芯片
意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發展的溫床。從許多方面來看，FD-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
在3nm工藝制程方面，三星扳回一局，三星在七月底宣布已有廠家購買了自家3nm工藝芯片，而臺積電要想實現3nm工藝芯片的量產還需要等半年呢。這意味著三星和臺積電此次“競爭”三星贏了。據悉，三星的3nm工藝分為了兩代，第一代3nm GAE工藝降低了45%的功耗，同時性能提升23%。這次量產的就是第一代，不過，第一代3nm工藝還沒有應用到手機上，它的首個客戶是中國礦機芯片公司。而第二代3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，照比第一代提升不少，但量產的話，需要兩年之后了，也就是2024年。同時
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三星 3nm 晶圓代工
7月25日，三星電子于京畿道華城園區V1線（僅限EVU極紫外光刻）舉辦了基于下一代3nm環柵晶體管（GAA）技術的芯片代工產品出貨儀式，開始如約向客戶交付其首批3nm工藝芯片。包括三星電子聯席CEO兼設備解決方案部門（DS）主管慶桂顯（Kye Hyun Kyung）和韓國工業貿易資源部長李昌陽（Lee Chang-yang）在內，出席了該儀式。隨著3nm制程工藝的量產，三星電子開啟了晶圓代工業務的新篇章。在發貨儀式上，三星晶圓代工部門表達了通過搶先量產3nm GAA工藝來增強其業務競爭力的雄心，以及“將繼
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三星 3nm 芯片
芯研所7月22日消息，作為臺積電的第一大客戶，蘋果最近幾年的iPhone新品都能首發臺積電新一代工藝，不過今年的iPhone 14是趕不上臺積電3nm工藝了。iPhone 14系列無緣3nm主要是臺積電的3nm工藝今年進度有些晚，上半年沒能量產，拖到下半年，跟不上蘋果的量產進度，不過最新消息稱3nm工藝已經開始投片量產，而且在新竹、南科兩個園區的工廠同時量產最先進的工藝。不過臺積電官方沒有確認這一消息，臺積電表示不評價市場傳聞。根據臺積電之前的消息，3nm節點上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N
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臺積電 制程工藝 3nm
6月底，三星宣布3nm GAA晶體管芯片投產，外界稱其首個客戶是國內的礦機廠商。隨后外界質疑聲不斷，包括三星是為了搶首發而草草上馬尚未成熟或者說良率很低的制程，甚至媒體爆料三星自己的手機芯片要到2024年才用3nm，而且直接上第二代。可能是為了打消外界的負面情緒，三星晶圓工廠總裁Siyoung Choi博士在一份公開的報告中給出了3nm礦機芯片的實測表現，數據是可以節能23~45%。顯然這樣的表現屬實不錯，畢竟是結結實實省電了。一些評論人士拒絕從礦工減少支出、可爭取更大收益的角度來看待問題，反而強調，這意
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3nm 虛擬貨幣 能耗
6月30日，三星代工廠和半導體研發中心的職員齊聚一堂，慶祝公司成為世界首家大規模投產3nm芯片的半導體企業。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管，雖然三星把3nm看得無比重要，可BK的報道稱，三星3nm的首家客戶居然是來自中國的一家名為PanSemi（上海磐矽半導體技術有限公司）的礦機芯片企業。考慮到當前虛擬貨幣慘淡的行情，這筆訂單的量級肯定不會大到哪兒去，對于檢驗3nm GAA的成色也不具備充分說服力。另一個有趣的細節是，報道稱，三星自家芯片準備在2024年才用3nm，而且是第二代，這就
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三星 3nm GAA量產
消息稱英特爾CEO Pat Gelsinger可能會在8月份前往臺積電，與臺積電的高層會晤，主要是對明年的3nm產能計劃進行“緊急修正”。英特爾原計劃2022年底量產第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業，臺積電的3nm制程的計劃將受到影響。據報道，英特爾內部已開始緊急修正未來一年的平臺藍圖以及自家制程產能計劃。一直有消息稱，英特爾將使用臺積電的N3工藝生產GPU，比如獨立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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英特爾 3nm 制程
在芯片企業中，華為海思還是頂流的存在，可以說，華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋果A系列并駕齊驅。甚至可以說，海思麒麟芯片還領先于蘋果、高通，因為首款5nm 5G Soc就是華為海思推出的，NPU也是華為率先用在處理器中，蘋果、高通紛紛效仿。然而，誰也沒有想到的是，美多次修改芯片等規則，導致臺積電等企業不能自由出貨，原因是臺積電等在芯片生產制造過程中也使用了相關美技術。在這樣的情況，臺積電等積極爭取自由出貨許可，還不斷加速發展先進技術，目的就是盡可能地降低對美技術的依賴，從而實現自由出貨。
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麒麟 三星 3nm
英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
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Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
一如之前預告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產，并且首次量產GAA晶體管工藝，技術上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節點才會用上GAA工藝。根據三星所說，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。對于三星搶先量產
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三星 3nm
三星電子今日否認了韓國當地媒體《東亞日報》有關延后3nm量產的報道。《東亞日報》此前報道稱，由于良率遠低于目標，三星3nm量產將再延后。 三星一位發言人通過電話表示，三星目前仍按進度于第二季度開始量產3nm芯片。 據了解到，昨天韓媒BusinessKorea消息稱，三星為趕超臺積電，加碼押注3nm GAA技術，并計劃在2025年量產以GAA工藝為基礎的2nm芯片。 消息稱，三星在6月初將3nm GAA工藝的晶圓用于試生產，成為全球第一家使用GAA技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍，快速縮小與臺
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三星 3nm 芯片工藝
隨著雙寡頭拉起的3nm制程競賽，未來行業內的晶圓代工訂單勢必將向這兩家公司進一步集中，由于半導體行業極度依賴規模效應，未來晶圓代工這個行業也很難再有新的挑戰者出現。
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3nm 三星 臺積電
WWDC2022上蘋果正式發布了搭載全新M2芯片的全新MacBook Air和 13英寸MacBook Pro機型。M2備受關注，然而現在蘋果下一代M系列芯片M3已經曝光。數碼博主 @手機晶片達人表示，M3目前正在設計當中，項目代號叫做Palma，預計2023/ Q3流片，采用臺積電3nm的工藝。當然，這些都還只是傳言，蘋果官方還未公布確切消息，對新芯片感興趣的小伙伴兒可以持續關注跟進報道。
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蘋果 M3 Palma 臺積電 3nm
三星之前制定計劃在2030年成為全球最先進的半導體制造公司之一，3nm節點是他們的一個殺手锏，之前一直被良率不行等負面傳聞困擾，日前三星公司終于亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2季度量產，比臺積電還要早一些。 日前美國總統參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠，三星首次公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。 對三星來說，3nm節點是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關鍵，因為臺積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術，三
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