印度，要設計3nm芯片了

印度電子和信息技術部部長阿什維尼·瓦伊什納（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度即將設計首批 3 納米半導體芯片。該聲明通過 X 上的一條推文發布，并附上了一段精彩的視頻，標志著印度半導體生態系統取得了一項里程碑式的成就，并使該國在全球科技競賽中占據關鍵地位。

3 納米（nm）芯片代表著半導體技術的尖端，有望徹底改變從移動設備到人工智能系統等各個領域。3 納米芯片尺寸極小，性能更佳，能效更高，體積更小——這對于 5G 基礎設施、人工智能系統和自動駕駛汽車等下一代電子產品至關重要。

Vaishnaw 的推文凸顯了印度在半導體領域日益增長的實力，該領域長期以來一直由美國、韓國和中國臺灣等主導。印度自主設計 3 納米芯片的舉措表明，該國在這一關鍵的先進技術領域的自主能力正在增強，同時也表明了其減少對外國芯片制造商依賴的雄心。

他強調了印度全面的半導體發展戰略，該戰略不僅涵蓋設計和制造，還包括組裝、測試、標記和封裝（ATMP），以及設備、化學品和氣體供應鏈的開發。他指出，國際社會對印度半導體潛力的信心顯著增強，這一點在達沃斯等全球平臺上得到了體現。應用材料公司（Applied Materials）和泛林集團（Lam Research）等公司已對印度的半導體生態系統進行了大量投資。

諾伊達的新設計中心是北方邦規模最大的同類中心之一，在構建分布式泛印度半導體生態系統方面發揮著關鍵作用。班加羅爾工廠將進一步增強印度在嵌入式系統和高性能芯片設計領域的影響力，并依托印度龐大的人才庫和不斷擴展的創新基礎設施。這些中心預計將共同創造高價值的就業機會，并打造服務于國內和全球市場的深度科技創新中心。

在 Vaishnaw 分享的視頻中，印度電子和信息技術部 (MeitY) 的專家展示了印度半導體發展迄今取得的進展。芯片設計將由本土科技公司和初創企業進行，政府支持的舉措將提供必要的基礎設施和資金支持。

半導體行業對幾乎所有電子設備都至關重要，預計未來幾年將呈指數級增長。隨著全球供應鏈面臨壓力，芯片需求飆升，印度進軍 3 納米芯片設計領域，預計將鞏固其在全球科技市場的地位，并促進技術自給自足。

瑞薩電子將設計 3nm 芯片

印度電子和信息技術部部長阿什維尼·瓦伊什納夫 (Ashwini Vaishnaw) 周二宣布，日本電子和半導體巨頭瑞薩印度公司將成為印度第一家端到端設計 3 納米 (nm) 芯片的公司。

瑞薩電子是嵌入式半導體解決方案的全球領導者，正在印度擴大其業務范圍，在諾伊達、班加羅爾和海得拉巴設立設計中心，專注于汽車、工業、基礎設施和物聯網等領域。

「這是我們首次進入 3 納米工藝，」Vaishnaw 在諾伊達瑞薩新研發中心落成典禮上表示。「到目前為止，我們已經看到了 7 納米和 5 納米的設計。這一步標志著印度半導體發展路線圖的一次重大飛躍。」

部長還在線上為該公司位于班加羅爾的設計中心舉行了揭幕儀式，進一步擴大了瑞薩電子在印度的業務范圍。

瓦什納強調了政府的雙重重點——快速擴大電子制造業規模（該行業正以兩位數的復合年增長率增長），同時為強大的半導體設計生態系統奠定基礎。他表示，印度的定位不僅是成為制造業的中心，更是成為尖端芯片創新的中心。

Vaishnaw 還宣布推出一款全新的半導體學習套件，旨在增強工程專業學生的硬件實踐技能。超過 270 所學術機構此前已通過印度半導體項目獲得了先進的 EDA（電子設計自動化）軟件工具，這些機構也將獲得這些實踐套件。「這種軟硬件學習的融合將培養真正具備行業水平的工程師。我們不僅致力于基礎設施建設，更致力于長期人才培養。」他同時對 CDAC 和 ISM 團隊的高效執行表示贊賞。

瑞薩電子首席執行官兼董事總經理柴田英年出席了此次活動，他將印度視為公司的戰略基石。他表示，瑞薩正在印度擴展其從架構到測試的端到端半導體能力，同時通過印度半導體計劃和生產掛鉤激勵計劃 (PLI) 等政府支持的舉措，積極支持 250 多家學術機構和一系列初創企業。他還強調了印日合作在重新定義全球半導體生命周期方面的重要性。