3d-ic 文章最新資訊

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計自動化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器（1T1C）和三個晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列

英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關(guān)，設(shè)計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅固性和抗噪能力，能夠在負瞬態(tài)電壓高達-100V時保持工作邏輯穩(wěn)定。可用于高壓側(cè)或低壓側(cè)功率管驅(qū)動。1ED21x7x系列非常適合驅(qū)動多個開關(guān)并聯(lián)應(yīng)用，例如輕型電動汽車。基于1ED21x7x
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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打破 BMS IC 的復(fù)雜性

電池管理系統(tǒng) （BMS） IC 是一個相對復(fù)雜的系統(tǒng)。與大多數(shù)電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴的功能，這些功能必須準確、無縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設(shè)備中，BMS 都是最關(guān)鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強大，但高度敏感，如果處理不當可能會帶來安全風(fēng)險。保養(yǎng)不當也會顯著縮短它們的使用壽命，導(dǎo)致容量減少，甚至使電池?zé)o法使用。BMS IC 是負責(zé)確保電池組運行狀況、報告其狀態(tài)和保持最佳性能的關(guān)鍵元件 - 無論是獨立還是與系統(tǒng)處理器協(xié)作。&nb
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紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運行情況擇機啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動世界

12月5日消息，美國當?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]