國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎。

這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。

根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡單方法。

然而，這種被稱為反應離子刻蝕的過程尚未完全了解，可以改進。最近的一項發(fā)展涉及將晶圓（要加工的半導體材料片）保持在低溫下，這種新興的方法稱為冷凍蝕刻。

傳統(tǒng)上，冷凍蝕刻使用單獨的氫氣和氟氣體來打孔。研究人員將該工藝的結果與使用氟化氫氣體產(chǎn)生等離子體的更先進的低溫蝕刻工藝進行了比較。

結果顯示，與以前的冷凍蝕刻工藝相比，使用氟化氫等離子體的冷凍蝕刻顯示出蝕刻速率的顯著增加。在蝕刻氧化矽、氮化矽交替層時，蝕刻速率可從每分鐘310納米提升至640納米，提升超過一倍，蝕刻品質(zhì)也同步提升。

同時，研究人員還研究了三氟化磷的影響。他們發(fā)現(xiàn)，添加三氟化磷使二氧化硅的刻蝕速率增加了四倍，盡管它只略微提高了氮化硅的刻蝕速率。