3d-nand 文章 最新資訊
NAND Flash合約價(jià) Q3看漲10%
- 根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價(jià)格走勢，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強(qiáng)第三季回補(bǔ)動(dòng)能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機(jī)潮，以及DeepSeek一體機(jī)熱潮，皆帶動(dòng)client SSD需求。此外，部分原廠積極推動(dòng)大容量QLC產(chǎn)品，帶動(dòng)出貨規(guī)模。 綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過去幾個(gè)月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND
- SSD?對(duì)于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗(yàn)和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計(jì)的高性價(jià)比客戶端存儲(chǔ)解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程
- ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
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DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平
- TrendForce最新釋出的存儲(chǔ)器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價(jià)格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動(dòng)，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價(jià)格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強(qiáng)勁漲勢，主要來自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動(dòng)能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價(jià)格進(jìn)入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價(jià)格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價(jià)格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？
- 縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對(duì)于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲(chǔ)密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲(chǔ)單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學(xué)研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND
- 韓國頂尖國家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲(chǔ)，甚至基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。 請(qǐng)記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進(jìn)的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實(shí)際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)
- 上半年，時(shí)至過半。回顧這半年的半導(dǎo)體市場，似是相對(duì)平靜，但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲(chǔ)三巨頭，計(jì)劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計(jì)劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對(duì)?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)
- 據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補(bǔ)這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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臺(tái)積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)
- 業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。 隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長期將出現(xiàn)短缺。 供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機(jī)會(huì)受惠。多家BT載板業(yè)者證實(shí)，確實(shí)2025年5月上旬時(shí)，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進(jìn)一步拉長，顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形，已進(jìn)一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中
- 存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器 （1T1C） 和三個(gè)晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器
- 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對(duì)共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對(duì)超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI
- Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級(jí)副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
- 關(guān)鍵字： Sandisk 3D-NAND
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