電子集成技術分為三個層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術分類的兩個重要依據：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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電子集成 工藝 制程
5月6日消息，據報道，臺積電的2nm制程技術正在引發前所未有的市場需求，有望成為該公司下一個"淘金熱"。報道稱，臺積電的2nm節點需求遠超以往任何制程，甚至在大規模量產之前就已經展現出強勁的吸引力，有望超越目前極為成功的3nm節點。臺積電的2nm制程技術在成熟度上取得了快速進展，其缺陷密度率已與3nm和5nm相當，并采用了新的環繞柵極晶體管（GAAFET）架構。此外，與3nm增強版（N3E）相比，2nm制程的速度提升了10%至15%。在市場需求方面，蘋果被認為是2nm制程的最大客戶，可
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Synopsys 為 Intel Foundries 的 18A 和 18A-P 更高性能工藝技術開發了生產就緒型設計流程。這些產品將于今年晚些時候進入量產，用于使用 RibbonFET 全環繞柵極 （GAA） 晶體管和第一個背面供電架構的 1.8nm 設計。兩家公司還致力于英特爾 14A-E 高效低功耗工藝的早期設計技術協同優化。這是 Intel Foundry 和 Synopsys 工程團隊之間廣泛設計技術協同優化 （DTCO） 努力的結果。Synopsys 還針對 Intel 18A 優化了其 IP
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Synopsys 英特爾 18A-P
一文帶你看懂英特爾的先進制程工藝和高級系統級封裝技術的全部細節... 1. 制程技術Intel 18A 英特爾18A制程節點正在按既定計劃推進，首個外部客戶的流片工作將于2025年上半年完成。Intel 18A預計將在2025年下半年實現量產爬坡，基于該制程節點的首款產品，代號為Panther Lake，將于2025年年底推出，更多產品型號將于2026年上半年發布。【英特爾新篇章：重視工程創新、文化塑造與客戶需求；英特爾發布2025年第一季度財報
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4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節點的后續一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節點現在處于風險生產階段，預計今年晚
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據日本共同通信社和日經新聞報道，日本政府計劃在2025年下半年對半導體企業Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計劃的法律基礎已經確立，日本參議院于4月25日通過了《信息處理促進法》等修正案，正式為相關支持鋪平道路。日本經濟產業省（經產省）主管的信息處理推進機構（IPA）將新增金融業務，向民間金融機構為下一代半導體企業提供債務擔保。這一機制將使日本政府能夠通過IPA對Rapidus進行出資，出資對象將通過公開招募選定，預計為Rapidus。經產省已在2025年度預算中預留了1,000億日元
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作為全球晶圓代工產業的龍頭，2024年臺積電全年合并營收達900億美元，同比增長30%；稅后凈利達365億美元，同比大幅增長35.9%。毛利率達到56.1%，營業利益率達45.7%，皆創歷史新高。2025年首季，臺積電的營運表現遠超市場預期。據晶圓代工業內人士透露，臺積電首季毛利率達58.8%，且預計第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區間；美元營收有望實現環比增長13%、同比增長近40%。與之形成鮮明對比的是，二線代工廠首季營運并未出現明顯回暖跡象。具體來看，聯電2025年首季合并營收為新臺幣578
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財聯社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產品，而這可能是其將Nova Lake生產外包給臺積電的一個原因。但業內也懷疑，既然18A工藝已經投入了試生產，英特爾將生產外包可能是由于產能需求的驅動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術生產旗艦產品，
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4 月 21 日消息，2025 年超大規模集成電路研討會（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導體領域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發布預覽文檔，簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術細節。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節點在性能、能耗及面積（PPA）指標上均實現顯著提升，將為消費級客戶端產品與數據中心產品帶來實質性提升。英特爾聲稱，在相同電壓（1.1V）和復雜度條件下，I
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4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術的高效能運算（HPC）處理器，預計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發。N2是臺積電首個依賴于全環繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術，預計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運行電壓下的性能提高15%，同時晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
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英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會上宣布了公司 18A 工藝節點的進展。?在 2025 年愿景會議上，英特爾今天宣布已進入其 18A 工藝節點的風險生產，這是一個關鍵的生產里程碑，標志著該節點現在處于小批量測試制造運行的早期階段。英特爾的代工服務高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因為英特爾即將完全完成其“四年五個節點”（5N4Y） 計劃，該計劃最初由前首席執行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
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臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執行長陳立武帶領下，著重發展半導體設計與代工能力，正積極爭取英偉達與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達比博通更有機會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產品，但效能與功耗仍是英偉達考慮的重點。 另一方面，英特爾透過改善先進封裝技術，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯電的合作相當順利，最快可能在202
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3月24日消息，中國科學院（CAS）研究人員成功研發突破性的固態深紫外（DUV）激光，能發射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當前被廣泛采用的DUV曝光技術的光源波長一致。相關論壇已經于本月初被披露在了國際光電工程學會（SPIE）的官網上。目前，全球主要的DUV光刻機制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準分子激光技術。這種技術通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193納米波長的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發射，輸出功
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Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產計劃有望提早實現。Intel工程經理Pankaj
Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強調這一節點開發是先進制程研發的重要里程碑。從中我們了解到Intel
18A節點已開始批量生產首批晶圓，供客戶進行測試與評估。這標志著英特爾18A節點的工藝設計套件（PDK）正式進入1.0版本，客戶已開始利用該套件進行定制芯片的測試。Intel
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盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務的使用，但該公司將在可預見的未來繼續從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內部生產盡可能多的產品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產品的百分比應該在臺積電生產。“我認為一年前我們在談論盡快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經不是策略了，”英特爾企業規劃和投資者關系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術、媒體和電信會議上說。“我們認為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
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