Intel、TSMC及三星三大半導體工廠今年將量產10nm工藝,他們中進度快的甚至準備在明年上馬7nm工藝,2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級,半導體工藝也越來越逼近極限了,制造難度越來越大,5nm之后的工藝到現在為止都沒有明確的結論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點上,美國又走在了前列,美國布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布實現了1nm工藝制造。
來自EETimes的報道稱，美國能源部(DOE)下屬的布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布創造了新的世界記錄，他們成
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1nm 制程
4月14日，全球最大的芯片代工制造商臺積電公布了截至3月31日的2017財年第一季度財報。財報顯示，臺積電第一季度總營收為2339.1億新臺幣(約人民幣530億元，單位下同)，凈利潤達到198.54億元，同比增長高達35.3%，充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。
按制程看，臺積電28nm以下先進制程工藝占據晶圓代工收益的56%，其中16/20nm工藝、28nm工藝占營收的比重為31%、25%。
中芯國際28nm尚待放量
而反觀大陸28nm進展最快的中芯國際，其2016年第四
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中芯國際 制程
4月14日，全球最大的芯片代工制造商臺積電公布了截至3月31日的2017財年第一季度財報。財報顯示，臺積電第一季度總營收為2339.1億新臺幣(約人民幣530億元，單位下同)，凈利潤達到198.54億元，同比增長高達35.3%，充分顯示了其全球晶圓代工的霸主地位。
按制程看，臺積電28nm以下先進制程工藝占據晶圓代工收益的56%，其中16/20nm工藝、28nm工藝占營收的比重為31%、25%。
中芯國際28nm尚待放量
而反觀大陸28nm進展最快的中芯國際，其2016年第四
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中芯國際 制程
半導體制程節點名稱出現前所未有的“增生”情況，產業界需要一種優良的公用性能基準，才能對不同業者的半導體制程技術進行比較。
這段時間以來，晶圓代工業者紛紛將他們自己的最新制程節點以自己想要的市場定位來命名，并非依據任何透明化的性能基準，而現在該是時候阻止這種“欺騙”行為。
英特爾(Intel)最近提出了一種簡單、但在某種程度上有點“自私自利”的電晶體密度量測標準，其他晶圓代工競爭對手則以“震耳欲聾的沉默&rd
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晶圓 制程
這項新策略意謂英特爾的發展重心及注意力已從PC移到其他領域。
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英特爾 制程
Intel 14nm=三星10nm，Intel領先了整整三年？
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英特爾 制程
手機芯片好比一部手機的大腦。一款智能手機的程序運行速度、流暢度、拍照、續航、網絡制式等大量的基礎性能的優劣，其決定權均來自于手機處理器。因此，手機芯片對整個手機的性能有著決定性的作用。 近日，魯大師數據中心發布了2016年Q3季度的芯片排行榜。通過該排行榜，我們可以大致了解本季度手機芯片市場發展。
芯片市場變化
事實上，2016年的手機芯片幾乎已在上半年就大批量投入使用了，從魯大師發布的2016年Q3季度報告中的CPU純邏輯運算性能測試TOP20可以了解到，本季
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芯片 制程
適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來看，7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過據外媒報道，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，采用碳納米管復合材料將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢?面對美國的技術突破，中國應該怎么做呢?
XX nm制造工藝是什么概念?
芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示，比如Intel最新的六代酷
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制程 1nm
半導體先進制程發展持續升溫，相關封裝、材料及設備需求也跟著水漲船高。為因應先進制程技術發展趨勢，半導體業者紛紛祭出新型機臺、設備或化學材料解決方案，藉以強化自身競爭優勢，并搶占龐大的先進制程需求大餅。
2016 年Semicon Taiwan展的攤位數量達一千六百個攤位，預估參觀人數則上看4.3萬人，展會規模將創歷年之最。從本次Semicon Taiwan展會盛況可看出，整體而言，半導體產業未來仍具有相當大的發展潛力，特別是10奈米以下先進制程，更是推動半導體材料、設備需求的關鍵因素。 為滿足先
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半導體 制程
要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…
盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD
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制程 FinFET
背景：2015年前三季度我國集成電路進口額1629億美元，出口額473億美元，逆差1156億美元，較2014年同期進一步擴大。芯片自給率不足30%，高額利潤被海外巨頭繼續壟斷，國產任重道遠。
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芯片 制程
市場對設備秏電量的要求也越來越嚴格，電源問題已經快速成為芯片設計時最棘手的問題之一。
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芯片 制程
2008年1月15日，中國北京-全球領先的可編程邏輯器件(PLD)供應商賽靈思公司(Xilinx,?Inc.?(NASDAQ:?XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan?-3A?FPGA器件。針對數字顯示、機頂盒以及無線路由器等應用而優化的這些小封裝器件滿足了業界對更小器件封裝尺寸的需求，為成本極為敏感的消費電子設計提供將更好的支持。 Spartan-3系列平臺:低成本消費應用的首選 賽靈思在大批量消費應用領域所取得的成功很大程度上依賴于其S
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Xilinx FPGA IC 制程
由于ASIC的研發成本居高不下，加上近來FPGA不斷整合更多的功能，同時也突破了過往功耗過高的問題，尤其當進入28奈米制程之后，其性價比開始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開始取代部分ASIC市場，應用范圍也逐步擴張。
掌握這樣的趨勢，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產品營收持續成長。Xilinx企業策略與行銷資深副總裁SteveGlaser指出，預估今年在28奈米產品線將會有1億美元的營收，市占率高達61%，而2014年更將大幅成長，目標將成長至2億5千萬營收表現，市占率也將成長
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Xilinx 制程
行動運算產品市場持續朝產品薄化方向設計，目前相關設計多使用整合晶片減少元件用量，對于異質核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術將會造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復雜的3DIC技術進行元件整合的積極微縮設計…
矽晶片的制程技術，一直是推進行動終端產品躍進式升級、改善的關鍵驅動力，以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質核心進行整合，目前已經產生簡化料件、縮減關鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對于行動裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高，
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3D 制程 矽穿孔
18a 制程介紹
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