英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點(diǎn)即將推出

4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國(guó)加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項(xiàng)目上的進(jìn)展。

陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。

英特爾已有幾個(gè)客戶計(jì)劃流片 14A 測(cè)試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。

陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)㈤_始量產(chǎn)。

英特爾還透露其新的 18A-P（18A 節(jié)點(diǎn)的性能版本）現(xiàn)在正在晶圓廠中運(yùn)行，早期晶圓也已投產(chǎn)。

此外，英特爾官宣正在開發(fā)新的 18A-PT 版本，該版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合鍵合互連，使英特爾能夠在其最先進(jìn)的領(lǐng)先節(jié)點(diǎn)上垂直堆疊晶圓。

Foveros Direct 3D 技術(shù)是一個(gè)關(guān)鍵的發(fā)展，因?yàn)樗峁┝艘环N競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電已在生產(chǎn)中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 產(chǎn)品。事實(shí)上，英特爾在關(guān)鍵互連密度測(cè)量方面的實(shí)現(xiàn)與臺(tái)積電的產(chǎn)品相匹配。

在成熟的節(jié)點(diǎn)方面，英特爾晶圓廠現(xiàn)在有了首個(gè) 16nm 量產(chǎn)晶圓，該公司現(xiàn)在也在與聯(lián)電合作開發(fā) 12nm 節(jié)點(diǎn)。