10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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安森美 碳化硅
2023 年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產能，然而業界樂觀預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能，目前這些中國企業每月的總產能約為 6 萬片。隨著各公司產能釋放，預計 2024 年月產能將達到 12 萬片，年產能 150 萬。根據行業消息和市調機構的統計，此前天岳先進、天科合達合計占據全球
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碳化硅 晶圓
日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導體原廠和設備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導體領域高管和領袖受邀聚集于此，旨在探討行業的未來趨勢和挑戰，分享他們如何在迅速創新和變化的行業中推動技術進步。ISES通過推動整個微電子供應鏈的創新、商業和投資機會，為半導體制造業賦能，促進中國半導體產業的發展。在峰會以“寬禁帶功率半導體在汽車應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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瑞能 ISES CHINA 2023 碳化硅 新能源汽車
2023年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業，為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據。 目前，他們的月產能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產，預計到2024年月產能將達到12萬單位
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SiC 碳化硅
英飛凌、現代汽車和起亞汽車三方發布官方聲明稱，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協議。據外媒，10月18日，英飛凌、現代汽車和起亞汽車三方發布官方聲明稱，已達成戰略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協議，以確保功率半導體的供應。根據戰略合作協議，英飛凌將在2030年前向現代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現代、起亞則會出資支持英飛凌的產能建設與儲備，三方也計劃在提升電動汽車的性能上緊密合作。
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英飛凌 現代 起亞 碳化硅 硅功率模塊
10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業務，并在其內部組織了SiC功率半導體業務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產業生態圈和學術界互動，進行市場和商業可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業務的時候也曾提
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三星 碳化硅！
碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業發展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸 擴產
香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發中心。大半導體產業網消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過110億港元，并創造超過700個本地和
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晶圓 碳化硅 第三代半導體
由創新科技及工業局和引進重點企業辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。香港特區政府創新科技及工業局去年公布的《香港創科發展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產業發展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業化」的發展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
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香港科技園公司 杰平方半導體 碳化硅 SiC 垂直整合晶圓廠
Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業務子公司。據外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
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三菱電機 Denso 碳化硅
隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰性的應用領域，如汽車驅動系統、直流快速充電、儲能電站、不間斷電源和太陽能發電。這些應用有一點非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級解決方案。就汽車而言，輕量化是為了增加續航里程，而在太陽能應用中，這是為了限制太陽能設備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動力總成，其中顯示了逆變器半導體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導體器件（IGBT /
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安森美 碳化硅
在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展，從而實現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽
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碳化硅 SiC
近期，三安半導體發布消息稱，公司攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC
MOSFET外，三安半導體還首發了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后，表示已經確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。湖南三安半導體是三安
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8英寸 碳化硅
隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統計（圖源：貿澤電子）各行業電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
隨著碳化硅（SiC）在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產。傳播星球App聯合創始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發展，一些項目已經落地實施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術方面，碳化硅作為其中的關鍵材料，其需求正日益增長。“碳化硅作為一種優良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優點，是實現高壓快充技
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碳化硅 新能源
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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