- 記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領域，連續砸進1.8億元，正與中科院半導體研究所聯合，進行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發及產業化”，是我國首家、全球第五家專業從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產、研發和銷售的高科技企業。
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天域 半導體 碳化硅
- LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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科銳 LED 碳化硅
- 科銳材料產品經理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領域100毫米外延片的強大量產能力。最新的150毫米技術將進一步提升碳化硅晶圓片的標準。科銳的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領先企業提供穩定的供貨保障。
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科銳 碳化硅 LED
- LED領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科銳通過推出更大直徑的外延片，從而繼續引領碳化硅材料市場的發展。此項最新技術能夠降低設備成本，并能夠利用現有150毫米設備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
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科銳 LED 碳化硅
- 進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業和學術各界努...
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開關電源 轉換器 碳化硅（SiC）
- 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 開關 碳化硅
- 功率因數校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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電源應用 碳化硅 肖特基二極管
- 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯合開發的技術，有助于實現低功耗。與瑞薩采用傳統硅(Si)的現有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
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瑞薩 半導體 碳化硅
- 編者語：在現代工廠的機械設備中，電氣傳動系統所耗費的電能占到了60%~70%，采用節能傳動系統可以為機械設備降低...
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碳化硅 變頻器 節能
- 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在...
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LED 碳化硅
- 隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
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豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
- 上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
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開關電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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