碳化硅文章進入碳化硅技術(shù)社區(qū)

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件

進入21世紀，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術(shù)各界努...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器碳化硅（SiC）

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
關(guān)鍵字： VCESAT 1200V 開關(guān) 碳化硅

適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管

功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件

全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術(shù)，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。
關(guān)鍵字：瑞薩半導體碳化硅

采用碳化硅作為變頻器，節(jié)能潛力巨大

編者語：在現(xiàn)代工廠的機械設備中，電氣傳動系統(tǒng)所耗費的電能占到了60%~70%，采用節(jié)能傳動系統(tǒng)可以為機械設備降低...
關(guān)鍵字：碳化硅變頻器節(jié)能

LED碳化硅襯底基礎(chǔ)概要

碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在...
關(guān)鍵字： LED 碳化硅

即將普及的碳化硅器件

　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
關(guān)鍵字：豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點

上世紀60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC

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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]