12月1日消息，近日，據外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產碳化硅芯片，為電動車關鍵技術并具強大成長潛力。報道稱，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業，預計2025年第四季度投產，預計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
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11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產應用。在產能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
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倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發新型半導體激增，電力半導體行業的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會產生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業正受到新材料制造的設備的挑戰和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續發展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，共同生產新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿足工業電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。 制造商對下一代功率應用的關鍵需求是節省空間和減輕
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應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷售的半導體技術公司。應能成立于2012年，其核心團隊來自美國硅谷，全產品線皆為自研產品，目前已有500多款產品，90%已上為量產狀態。應能微的半導體芯片應用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業和汽車上均有廣泛的應用。應能微銷售總監曾總表示，其高性能瞬態電壓抑制器 (TVS) 產品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關鍵性能指標上表現出色，硅基MOSFET產品
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11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發，2022年12月正式立項為量產
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一些新出現的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性，但同時也是人類所面臨的最大技術挑戰之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時不增加成本或尺寸。在汽車領域，目前電動汽車 (EV) 已經非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續航里程有限等問題，電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優化動力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優勢硅
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電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
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10月25日，中芯集成發布公告稱，新設立合資公司芯聯動力科技（紹興）有限公司（以下簡稱“芯聯動力”）已完成了工商注冊登記手續，并取得紹興市越城區市場監督管理局核發的《營業執照》。根據中芯集成公告，芯聯動力將運營碳化硅（SiC）業務項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%。基于合資公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯動力創始股東包括中芯集成、芯聯合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經完工，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠SiC半導體產量預計將增至每年100萬顆。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產200mm晶圓。為了支持SiC產能的提升，安森美計劃在未來三年內雇傭多達1000名當地員工來填補大部分高
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10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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2023 年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產能，然而業界樂觀預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能，目前這些中國企業每月的總產能約為 6 萬片。隨著各公司產能釋放，預計 2024 年月產能將達到 12 萬片，年產能 150 萬。根據行業消息和市調機構的統計，此前天岳先進、天科合達合計占據全球
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日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導體原廠和設備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導體領域高管和領袖受邀聚集于此，旨在探討行業的未來趨勢和挑戰，分享他們如何在迅速創新和變化的行業中推動技術進步。ISES通過推動整個微電子供應鏈的創新、商業和投資機會，為半導體制造業賦能，促進中國半導體產業的發展。在峰會以“寬禁帶功率半導體在汽車應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2023年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業，為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據。 目前，他們的月產能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產，預計到2024年月產能將達到12萬單位
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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