新年第一個月，中國首條碳化硅全產業鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產出貨并順利通過客戶驗證，車規級二極管接連獲得汽車行業客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛入發展快車道在化石燃料資源和環境問題面前，各國都發布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化，日本則是通過提高行業燃油經濟性標準以促進新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉換效率，在充電樁、車載充電
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三安集成 碳化硅 車規產品
11月27日， 由中國科學技術協會與深圳市人民政府共同主辦，由中國科協企業創新服務中心、深圳市科學技術協會承辦、深圳市科技交流服務中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創新中心執行的“2021中歐科技創新合作發展論壇”專業論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上，來自國內及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業協會、半導體企業及投資機構等泛第三代半導體產業生態圈的代表參與大會，共同探討中歐第三代半導體產業發展和應用現況及未來趨勢，并就如何深化“碳中和”目標
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第三代半導體 碳化硅
新基建和“雙碳”戰略目標推動下，第三代半導體產業正在開啟發展加速度，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業革命。“創新為基，創芯為本”，11月27日，2021基本創新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經理和巍巍博士在會上發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展，受到了現場來自汽車、工業、消費等領域以及第三代半導體產業生態圈的多位業內人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
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第三代半導體 碳化硅 MOSFET
基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位，在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展，極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產品組合，Microchip推出一款全新 ”生產就緒”的1200V數字柵極驅動器，為系統開發人員提供多層級的控制和保護，以實現安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動器，可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說，Microchip的Agi
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Microchip 碳化硅 MOSFET
無橋式圖騰柱功率因數校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠實現這些改進的 SiC器件性能參數。
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碳化硅 圖騰柱 PFC 體二極管 恢復 電荷 效率 損耗 輸出電容
近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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意法半導體 Norstel AB 碳化硅 SiC
引言全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻,汽車產業綠色低碳發展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領先的功率半導體廠商之一,羅姆一直致力于技術創新,研發各種高效、高品質的功率器件,為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案,在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續發展。縮短充電時間的高輸出挑戰對電動汽車車主來說,縮短充電時間是非常重要的訴求,而大功率充電是其中關鍵的支撐技術。提升續航距離需要増加電池容量,為縮短充電時間,需要高輸出能力的充電樁,如360kW的充電樁要搭載9個40kW的電源
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意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產下一代功率電子芯片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創性技術領域的領導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質量十分優良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
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意法半導體 碳化硅
由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產業對于高頻率、低耗損的表現需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環境作業下損失較少功率的化合物半導體材料，備受產業期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導體的器件，能夠滿足傳統硅基半導體所不能滿足的諸多優點。放眼全球化合物半導體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
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碳化硅 寬能隙半導體
中國化合物半導體全產業鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經完成碳化硅MOSFET器件量產平臺的打造。首發1200V 80mΩ產品已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
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三安集成 碳化硅 MOSFET
隨著物聯網，大數據和人工智能驅動的新計算時代的發展，對半導體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛。以碳化硅為代表的第三代半導體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應用等環節的產業鏈。全球新一輪的產業升級已經開始，正在逐漸進入第三代半導體時代。 碳化硅，作為發展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。已在智能電網，軌道交通，新能源，開關電源等領域得到了應用，展現出了優良的性質和廣闊的
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碳化硅，半導體
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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