- 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網宣布，其與Soitec簽署了一項合作協議，雙方將共同開發用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉型據悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術，該技術通過處理高質量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產出多個高質量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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- 近日，我國在8英寸碳化硅領域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產品和技術，我們拭目以待。關鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級近日，中國電科48所自主研發的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。圖片來源：中國電科據中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延
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- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓，進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優勢和產能，確保其在GaN器件市場供應鏈的穩定性。據Yole Group預測，未來五年GaN器件市場的年復合增長率（CAGR）將達到46%。英飛凌科技電源與傳感系統事
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- 6月7日，蘇州優晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創新性強，突破了國內大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產權，經濟效益顯著。資料顯示，優晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發、生產及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經持續工藝優化，目前已推出至第四代機型——UKIN
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- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據悉，該工廠由Wolfsp
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- 羅姆半導體（Rohm）株式會社社長松本功近日在2023年11月財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產8英寸SiC襯底，主要供該公司內部使用，預計將于2024年開始投產。這將是羅姆首次在日本生產SiC襯底。據悉，宮崎第二工廠規劃項目是羅姆近幾年產能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業務投入1700億-2200億日元（折合人民幣約82億元-107億元）。對于包括羅姆在內的眾多SiC功率半導體玩家而言，再怎么加大投資、提升SiC襯底產能都不過分。一方面，近年來，襯底材料短缺
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- 11月4日，晶盛機電“年產25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”正式簽約啟動，此舉旨在攻關半導體材料端關鍵核心技術，最終實現國產替代。據悉，此次簽約項目總投資達21.2億元。據晶盛機電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長設備和工藝研發，相繼成功開發6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內為數不多能供應8英寸襯底片的企業。目前，公司已建設了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。碳化硅作為第三代半導體代表
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- 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業發展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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- 近期，三安半導體發布消息稱，公司攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC
MOSFET外，三安半導體還首發了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后，表示已經確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。湖南三安半導體是三安
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- 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
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- IQE?plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”）全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材料解決方案供應商，近日宣布將推出全新 8英寸 (200mm) 紅、綠、藍三色（ “RGB”）外延晶圓產品組合，供 microLED 顯示器認證。??MicroLED?以氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaAs) 半導體為基底，是一種極具顛覆性的全新顯示器技術，正設計用于多種新平臺，例如可穿戴技術、AR/VR 耳機和大型顯示器。 IQE 的 GaN 和 GaA
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- 近日，美國激光技術與加工系統供應商Coherent和三菱電機宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達成項目合作，將在200毫米技術平臺上擴大SiC電力電子產品的規模化生產。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設基于200mm技術平臺的SiC功率器件新工廠，并加強相關生產設備。根據諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產的SiC功率器件開發200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
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- 據《電子時報》報道，有IC設計業者表示，臺積電將再調漲8英寸成熟制程代工報價，12英寸成熟與先進制程則還在評估中。產業鏈方面的消息顯示，臺積電雖然計劃提高8英寸晶圓代工服務的價格，但并不會立即生效，新的價格預計在三季度開始實施。由于供應鏈等問題的影響，全球一直在卻芯，代工芯片制造商紛紛宣布上調代工費，半導體價格也始終在攀升。去年9月份，臺積電通知客戶所有芯片的代工價格最高上漲20%。其中，7nm制程技術的報價上漲3%-10%，12nm以上的成熟型制程漲價上漲20%。在臺積電目前的收入中，12英寸晶圓代工服
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- 據國外媒體報道，半導體行業是今年為數不多的并未受到明顯影響的行業，特別是半導體制造，主要廠商今年的營收有明顯增長，部分生產線的產能也非常緊張。在此前的報道中，外媒已提到，臺積電等芯片代工商的8英寸晶圓廠產能緊張，代工商已經提高了代工報價，上調幅度在10%到20%之間。而外媒最新援引產業鏈方面的消息報道稱，8英寸晶圓廠產能緊張的狀況，還將持續一段時間，目前預計會持續到2021年。從產業鏈人士透露的消息來看，8英寸晶圓廠產能緊張，主要是顯示驅動芯片和電源管理芯片需求強勁。如果產業鏈這一人士透露的消息準確，8英
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- 為搶攻汽車及工業等高端應用市場，掌握8英寸功率組件未來的龐大商機，以往專注在4、6英寸晶圓領域的強茂，決定斥資6,700萬美元涉足8英寸市場，其用途會專注在新團隊的晶圓設計里背面制程的應用，以此掌握如5G、物聯網、車用電子等所帶動的8英寸功率組件的龐大商機。
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