碳化硅文章最新資訊

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機構(gòu)統(tǒng)計，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導體材料碳化硅可提供高場強、高能隙，以及高電子移動速度和熱導率，讓下一代半導體器件的性能得到革命性提升。
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減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應
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英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應用分析

2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關(guān)電源應用高級市場經(jīng)理陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
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碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，使一些以前硅材料很難被應用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模式
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GT Advanced Technologies和安森美半導體簽署生產(chǎn)和供應碳化硅材料的協(xié)議

GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議，總價值可達5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應用。
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碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負

電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協(xié)議

近日，羅姆和橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應協(xié)
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環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫

半導體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應用擴大等來看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預期，她預估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
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Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間

近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源，典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
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意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

近日，橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導體行使期權(quán)，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
關(guān)鍵字：意法半導體碳化硅 Norstel AB

科銳與ABB在汽車和工業(yè)領(lǐng)域展開SiC合作

全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳與ABB電網(wǎng)事業(yè)部宣布達成合作，共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協(xié)議內(nèi)容包括在ABB種類齊全的產(chǎn)品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體，這將助力科銳擴大客戶基礎(chǔ)，同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車（EV）市場。
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北京經(jīng)開區(qū)第三代半導體現(xiàn)新突破

一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源，核心功能的實現(xiàn)都離不開電力電子系統(tǒng)中半導體器件的支撐。碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，具有低能耗、體積小、重量輕等特點，國際上都在競相研發(fā)碳化硅半導體制備技術(shù)。近日，記者在區(qū)內(nèi)企業(yè)世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現(xiàn)小批量試產(chǎn)，研發(fā)的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領(lǐng)域，實現(xiàn)第三代半導體碳化硅關(guān)鍵領(lǐng)域全面布局。
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國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

近日，隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS（微機電系統(tǒng)）微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火，在軌驗證了對金牛座納星的姿態(tài)控制技術(shù)。?
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第三代半導體將催生萬億元市場

　　日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。　　2018年，美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導體領(lǐng)域研發(fā)支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業(yè)化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素，國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是，在材料指標、器件性能等方
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中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導體發(fā)展

最近，由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導，青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程，助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
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碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]