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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

        碳化硅 文章 進入碳化硅技術社區

        GT Advanced Technologies和安森美半導體 簽署生產和供應碳化硅材料的協議

        • GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor),宣布執行一項為期五年的協議,總價值可達5,000萬美元。根據該協議,GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增長市場和應用。
        • 關鍵字: GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

        碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領域一決勝負

        • 電力電子器件的發展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現,因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此,已經有越來越多的半導體企業開始進入SiC市場。到2023年,SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
        • 關鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  

        羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應協議

        • 近日,羅姆和橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布,意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長期供應協議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領先的龍頭企業。協議規定, SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片,滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示:“該SiC襯底長期供應協
        • 關鍵字: 碳化硅  晶圓  

        環球晶圓:硅晶圓明年回溫

        • 半導體硅晶圓大廠環球晶圓董事長徐秀蘭日前表示,明年半導體景氣仍受貿易摩擦、總體經濟及匯率三大變數干擾,但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫,以及應用擴大等來看,硅晶圓產業已在本季落底,明年上半年整體景氣動能升溫速度優于預期,她預估環球晶圓明年首季與本季持平或略增,往后將會逐季成長。
        • 關鍵字: 環球晶圓  硅晶圓  碳化硅  

        Maxim發布隔離式碳化硅柵極驅動器,提供業界最佳電源效率、有效延長系統運行時間

        • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅動器,幫助高壓/大功率系統設計者將電源效率提升4%,優于競爭產品;功耗和碳排放減少30%。驅動器IC優化用于工業通信系統的開關電源,典型應用包括太陽能電源逆變器、電機驅動、電動汽車、儲能系統、不間斷電源、數據農場及其他大功率/高效率電源等。目前,許多開關電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是,高開關頻率的瞬態特性會產生較大噪聲,影響系統的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
        • 關鍵字: 碳化硅  柵極驅動器  

        意法半導體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購

        • 近日, 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)于12月2日宣布,完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后,意法半導體行使期權,收購了剩余的45%股份。Norstel并購案總價為1.375億美元,由現金支付。
        • 關鍵字: 意法半導體  碳化硅  Norstel AB  

        科銳與ABB在汽車和工業領域展開SiC合作

        • 全球碳化硅(SiC)技術領先企業科銳與ABB電網事業部宣布達成合作,共同擴展SiC在快速增長大功率半導體市場的采用。協議內容包括在ABB種類齊全的產品組合中將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體,這將助力科銳擴大客戶基礎,同時加快ABB進入正在快速擴大的電動汽車(EV)市場。
        • 關鍵字: 科銳  ABB  碳化硅  

        北京經開區第三代半導體現新突破

        • 一輛新能源汽車、一組高能效服務器電源,核心功能的實現都離不開電力電子系統中半導體器件的支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的典型代表,具有低能耗、體積小、重量輕等特點,國際上都在競相研發碳化硅半導體制備技術。近日,記者在區內企業世紀金光半導體有限公司(以下簡稱“世紀金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸單晶并實現小批量試產,研發的功率器件和模塊也已大批量應用于新能源汽車、光伏、充電樁、高能效服務器電源、特種電源等領域,實現第三代半導體碳化硅關鍵領域全面布局。
        • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  世紀金光  

        國際首次碳化硅MEMS微推力器陣列在軌點火試驗成功

        • 近日,隨金牛座納星運行了37天的碳化硅MEMS(微機電系統)微推力器陣列芯片接受地面點火指令成功點火,在軌驗證了對金牛座納星的姿態控制技術。?
        • 關鍵字: MEMS  碳化硅  微推力器陣列  

        第三代半導體將催生萬億元市場

        •   日前,第三屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學者認為,第三代半導體未來應用潛力巨大,具備變革性的突破力量,是半導體以及下游電力電子、通訊等行業新一輪變革的突破口。  2018年,美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域研發支持力度,國際廠商積極、務實推進,商業化的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)電力電子器件新品不斷推出,性能日益提升,應用逐漸廣泛。受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等積極因素,國內第三代半導體產業穩步發展。但是,在材料指標、器件性能等方
        • 關鍵字: 半導體  碳化硅  

        中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發展

        • 最近,由深圳市科學技術協會、坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產化替代進程,助力國產半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論
        • 關鍵字: 碳化硅  二極管  MOSFET  

        更高效的半導體材料——碳化硅

        • 在功率電子學中,半導體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會高得多。巴塞爾大學的物理學家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學期刊“應用物理快報”中解釋了阻止硅和碳結合使用的原因。能源消耗在全球范圍內不斷增長,風能和太陽能等可持續能源供應變得越來越重要。然而,電力通常遠離消費者產生。因此,高效的配電和運輸系統與將產生的直流電轉換成交流電的變電站和電力轉換器同樣重要。節省大筆開支現代電力電子設備必須能夠處理大電流和高電壓。目前用于場效應晶體管的半導體材料制成的晶體管現在主要基于硅技術。然而,在硅上使
        • 關鍵字: 碳化硅  

        安森美為20歲慶生,“高能效電子創新”顯示旺盛活力

        • 1999年從摩托羅拉半導體部剝離時,安森美只是一家年營業額12億美元的標準半導體供應商,2018年已達到年營收近60億美元,轉型成為領先的高能效創新的半導體方案供應商。過去的20年,是半導體技術飛躍發展的20年,也是并購重組頻繁的20年,很多中小公司在并購浪潮中淹沒了,而安森美卻逐漸壯大,形成了自己的特色和穩定的市場。安森美的成功經驗是什么?如今的特色和對未來的觀察是什么?近日,安森美半導體戰略、營銷及方案工程高級副總裁David Somo和中國區銷售副總裁謝鴻裕接受了電子產品世界等媒體的采訪。1 靠創新
        • 關鍵字: 汽車  傳感器  碳化硅  云電源  

        華為出手第三代半導體材料 性能實現千倍提升

        • 華為出資7億元全資控股,剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業。
        • 關鍵字: 華為  半導體  碳化硅  

        CISSOID發布最新工業和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅動器創新成果

        • 中國北京,2019年7月16日–各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關材料國際會議”上,發表題為“一種用于工業和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動器”的論文,并介紹公司在該領域的最新研究開發成果。CISSOID首席技術官Pierre Delatte將于19日在該會議上發表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業應用方面,越來越多的人則
        • 關鍵字: CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅動器  
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        碳化硅介紹

        碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發現 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物,并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術仍為眾人使用中。 性質 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]

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