Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基勢壘二極管 SBD
●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯合研發中心，旨在進一步提升在全球碳化硅系統和器件創新領域的領先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設。全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術公司采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關系。這其中包括建立一座聯合創新實驗室，共同推動碳化硅系統和器件技術在出行、工業和能源應用領域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
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Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導體工廠，采用創新性制造工藝來生產下一代碳化硅器件。·??????? 擴展至歐洲的碳化硅器件制造布局，將支持不斷加速中的客戶需求，同時也將支持公司在 2027 財年達成 40 億美元的長期營收展望。·??????? 將成為公司先前宣布的 6
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Wolfspeed 碳化硅 制造工廠
2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰略協議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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安森美 大眾汽車集團 電動汽車 碳化硅 SiC
意法半導體（ST）是一家擁有非常廣泛產品組合的半導體公司，尤其汽車更是ST非常重視的市場之一。 意法半導體車用和離散組件產品部策略業務開發負責人Luca SARICA指出，2022年車用和離散組件產品部（ADG）占了ST總營收的30%以上。ST在2021年的營收達到43.5億美元，而若與2022年相比，車用產品部門與功率和離散組件部門的營收增幅都相當顯著，達30%以上。車用和離散組件產品部擁有意法半導體大部分的車用產品，非常全面性的產品組合能夠支持汽車的所有應用。 圖一 : ADG營運策略ADG
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英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議，以補充并擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體。 英飛凌工業電源控制事業部總裁 Peter WawerResonac將先供應6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關于 SiC 材料技術的智財 (IP)。雙
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英飛凌 Resonac 碳化硅
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制
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2023年1月4日 — 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業碳化硅方案領域的領導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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安森美在過去的兩年間通過成功的轉型之旅，實現了業績和利潤的雙豐收。在轉型路上公司又有哪些關鍵技術和策略的調整呢？帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術支柱的創新支持和打造可持續發展的生態系統，這是驅動安森美投資的主要動力，也是企業職責所在。
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近日消息，從東風汽車官方獲悉，東風碳化硅功率模塊項目課題已經順利完成，將于2023年搭載東風自主新能源乘用車，實現量產。IGBT行業的門檻非常高，除了芯片的設計和生產，IGBT模塊封裝測試的開發和生產等環節同樣有著非常高的技術要求和工藝要求，作為IGBT模塊的升級產品、第三代半導體，碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電80%，并進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。同時，總投資2.8億元的功率模塊二期項
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IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
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2022年12月5日，英國倫敦、美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導體技術和產品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯電動方程式世界錦標賽 Formula E（以下簡稱：Formula E）設計、研發打造，標志著 Formula E 賽事正式邁入第三代（Gen3）賽車新時代。
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據日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產下一代功率半導體，以碳化硅（SiC）為原材料。據悉，羅姆花費約20年推進研發碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續航里程可提升一成，電池體積也可更小。據悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產，還計劃為增產投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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目前影響著車輛運輸和半導體技術的未來有兩大因素。業界正在采用令人振奮的新方法，即以潔凈的能源驅動我們的汽車，同時重新設計支撐電動車（EV）子系統的半導體材料，大幅提升功效比，進而增加電動車的行駛里程。政府監管機構持續要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量，對于違規行為給予嚴厲的處罰，同時開始沿著道路和停車區域增設電動車充電基礎設施。但是，盡管取得了這些進展，主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮，使電動車的推廣受到阻力。更復雜的是，大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程，緩解消費者關于行駛里程的
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2022年11月16日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡稱“SiC”）技術，這是兩家公司戰略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅逆變器的能效并減輕了其重量，使電動汽車的續航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動車
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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