三星人事變動，瞄準碳化硅！

10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業務，并在其內部組織了SiC功率半導體業務V-TF部門。

Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。

目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產業生態圈和學術界互動，進行市場和商業可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業務的時候也曾提前成立過相關的業務小組。

Stephen Hong或將主導SiC功率半導體業務方向和切入點的規劃。除了SiC商業化之外，三星電子還開始全面籌備GaN功率半導體業務。三星已決定購買Aixtron最新的MOCVD設備，用于加工GaN和SiC晶圓，投資規模預計至少達到7000億-8000億韓元（約為5.4億-6.2億美元）。

三星的第三代半導體的代工業務預計2025年才能開始進行，目前仍是正處于研究和樣品生產階段，只需要少量設備。然而，他們必須根據未來的量產計劃進行大量的設備投資。

根據TrendForce集邦咨詢分析2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%，并預估至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元。

source：TrendForce集邦咨詢

此前，三星規劃用8 英寸晶圓制造GaN 和SiC 半導體，直接跳過多數功率半導體商用6 英寸晶圓切入階段。這在6英寸還是主流的當下，吸引了大家的關注。

而三星加速對SiC的布局，或許還和其晶圓代工業務受到了沖擊有關。

半導體廠稼動率變化，向來是影響公司盈虧的重要指標。

TrendForce集邦咨詢最新研究估計，三星8英寸晶圓廠2024 年稼動率恐掉到50%，主要因全球半導體需求萎縮，一時半刻難見起色，加上地緣政治影響，拖累三星接單下滑。

SiC和GaN的功率半導體市場需求日益增大，加上三星Si晶圓的業務受到了沖擊，且DB Hitek和Key Foundry等廠商也在加速布局，三者都預計在2025年至2026年將8英寸GaN代工服務商業化。

受這三方面的影響，三星不得不加快其有關GaN和SiC上的布局，以期爭取更多市場，扭轉企業的傳統晶圓代工的頹勢。