安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發者提高開關頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
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碳化硅 SiC MOSFET
近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據悉，該工廠由Wolfsp
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SiC 8英寸
3月28日，小米公司正式發布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價21.59萬元；小米SU7 Pro版，售價24.59萬元；小米SU7 Max版，售價29.99萬元。圖片來源：小米公司2021年3月，小米創始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去，小米SU7正式發布，其相關供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時代、揚杰科技等本土供應鏈廠商。芯片領域，英偉達為小米汽車提供自動駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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小米 汽車 碳化硅
華泰證券發布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業交流，并參加相關行業論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產廠商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動先進封裝需求，測試機國產化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長。 華泰證券主要觀點如下：
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SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN SiC
服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）近日宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作，設計及研發使用ST被業界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。該參考方案是電源設計數位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務器、數據中心和通信電源的領域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯網（IoT）的推波助瀾下，對數位服務的需求持續成長，能源及用電控制是數據中心永續發展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
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3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
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功率半導體 碳化硅
據Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術引領者Wolfspeed在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求。產能的爬坡將為近期簽訂的客戶協議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業等）提供支持，推動具有重要
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Wolfspeed 碳化硅
2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產業轉型，提升對于能源轉型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
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3月28日消息，當地時間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產線一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠已有一些長晶爐設備進場，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開始生產，預計竣工達產后Wolfspeed的SiC襯底產量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協議，查塔姆工廠的投建將為這些協議提供支持，同
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隨著近年來對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來越高，因為最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優勢，大尺寸襯底逐漸開始被采用，市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時，8英寸襯底可以生產更多的芯片，從而減少邊緣浪
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3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕。現場一片繁忙熱鬧，據悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產業鏈格外亮眼，據全球半導體觀察不完全統計，共有近70家相關企業帶來了一眾新品與最新技術，龍頭企業頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業，設備端則如晶盛機電、中微公司
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電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實施概覽BESS 的優勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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安森美 SiC 電池儲能
進入 2024 年，10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大，普遍要求降價 20%，過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為，車市降價是由于新技術帶來的成本下降，但從大背景來看，2 月銷量下滑，或是更多企業加入價格戰的不得已選擇。但從另一個角度來看，成本的下降確實會緩解降價的壓力，SiC（碳化硅）會不會是出路呢？降價風波始末2 月 19 日，可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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SiC
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造，象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
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納微半導體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
碳化硅（sic）介紹
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