11月28日消息,據外媒報道,日前,英飛凌綠色工業動力部門(GIP)總裁Peter Wawer在受訪時透露,英飛凌正在其位于Villach的工廠生產8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示,英飛凌目前使用6英寸晶圓,但已經在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品,很快將它們轉化為電子樣品,并將在2030年之前大規模量產應用。在產能方面,英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠(在2022年2月宣布的原始投資之上)獲得更多產能,信息稱,英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC(碳化硅)功率工廠。值得一提的是該計劃
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英飛凌 碳化硅 晶圓
11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯合開發高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發,將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認,預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示,安世半導體總部位于荷蘭,目前是中國聞泰科技的子公司。11月初,安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司,三菱電機與安世半導體的側重點不同,前者以“多個離散元件組合
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三菱電機 安世 SiC 功率半導體
11 月 21 日消息,據晚點 LatePost 報道,在芯片自研方面,理想同時在研發用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片,和用于驅動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱,理想目前正在新加坡組建團隊,從事 SiC 功率芯片的研發。在職場應用 LinkedIn 上,已經可以看到理想近期發布的五個新加坡招聘崗位,包括:總經理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱,用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發重
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倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發新型半導體激增,電力半導體行業的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會產生類似的影響?功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示:“長期以來依賴硅技術的行業正受到新材料制造的設備的挑戰和推動。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的開發始于上個世紀,但它們的技術成熟度與可持續發展運動相匹配,新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?!?018 年,特斯拉首次
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Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關系,共同開發碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業,雙方聯手開發,將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠,在業界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升,但是如何定量分析這三類產品的不同?Power Intergrations(PI)資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品,詳細解釋了三類產品的優劣,以及PI對于三種產品未來的判斷,同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優勢。在功率器件選擇過程中,以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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三菱電機將與Nexperia(安世)合力開發SiC芯片,通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系,共同開發面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開發SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大,并有助于推動Si
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三菱電機 安世 SiC
11月6日,株式會社電裝(Denso)宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩定采購。關于本次投資,市場方面早有相關消息傳出。今年9月底有報道稱,電裝、三菱電機等多家企業對投資Coherent的SiC業務感興趣,并且已經就收購Coherent的SiC業務少數股權進行過討論。分拆SiC業務能夠給投資者提供更多投資機會,同時也是對SiC發展前景的看好,Coher
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電裝 SiC
奈梅亨,2023年11月6日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系,共同生產新的650 V、20 A碳化硅(SiC)整流器模塊,適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用,以滿足工業電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。 制造商對下一代功率應用的關鍵需求是節省空間和減輕
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應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷售的半導體技術公司。應能成立于2012年,其核心團隊來自美國硅谷,全產品線皆為自研產品,目前已有500多款產品,90%已上為量產狀態。應能微的半導體芯片應用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ,并在通訊、安防、工業和汽車上均有廣泛的應用。應能微銷售總監曾總表示,其高性能瞬態電壓抑制器 (TVS) 產品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關鍵性能指標上表現出色,硅基MOSFET產品
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應能微電子 接口保護器件 碳化硅
11月2日消息,據“智新科技”官微消息,近日,首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線,完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術,使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統工藝改善10%以上,工作溫度可達175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車續航里程提升5%-8%。據悉,智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺,項目于2021年進行前期先行開發,2022年12月正式立項為量產
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_____近年來,在國家“雙碳”戰略指引下,汽車行業油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%。汽車電動化浪潮中,半導體增量主要來自于功率半導體,根據 Strategy Analytics,功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統燃油車的21%提升至純電動車的55%,躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣,車規級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統的硅基半導體器件,業界已經建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發
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一些新出現的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性,但同時也是人類所面臨的最大技術挑戰之一。例如,雖然太陽能可以提供無限的能源,但要想成功商業化,設計人員必須提供更高的功率和效率,同時不增加成本或尺寸。在汽車領域,目前電動汽車 (EV) 已經非常普及,但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續航里程有限等問題,電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下,設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優化動力總成的尺寸和重量,包括主驅逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件,并不斷降低成本。碳化硅器件的優勢硅
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電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量,這樣當環境條件不太有利于發電時,就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構,然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統,具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外,鋰離子電池技術成熟,因
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IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產商環球晶圓控股(GlobalWafers)董事長徐秀蘭表示,公司克服了量產碳化硅(SiC)晶圓的重重技術難關,已經將 SiC 晶圓推進至 8 英寸,和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產品,2025 年大幅增長,到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經超過 50%,而且有進一步改善的空間,明年上半年開始交付相關樣品。IT之家從報道中
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碳化硅(sic)介紹
您好,目前還沒有人創建詞條碳化硅(sic)!
歡迎您創建該詞條,闡述對碳化硅(sic)的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)的朋友們分享。
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