Nexperia近日宣布，公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
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Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
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SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業，目前已成功開發了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業電力電子變換器、電力電子繼電器等產品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發、成果轉移轉化
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碳化硅 化合物半導體
作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業正在火熱發展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
SiC技術似乎已成為蔚來旗下新車型標配。蔚來在去年12月發布的行政旗艦車型ET9，搭載了蔚來自研自產的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現出來的效果就是充電5分鐘，續航255公里。近日，蔚來旗下又一款搭載SiC技術的車型正式發布，這便是其全新品牌樂道的首款車型L60。據悉，樂道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
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Sic 新能源汽車 蔚來
Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發布的SU7電動汽車供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術的牽引逆變器可以進一步增加電動汽車的續航里程。英飛凌為小米SU7 Max車型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動汽車供應了一系
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英飛凌 小米 SU7 智能電動汽車 SiC
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業市場可持續性能源發展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現應用系統的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
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安森美 碳化硅 功率解決方案
近日，河南中宜創芯發展有限公司（以下簡稱“中宜創芯”）SiC半導體粉體500噸生產線成功達產，產品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業和研究機構開展試用和驗證。資料顯示，中宜創芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體生產線。項目一期總投資6億元，年產能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產，9月30日首批產品出爐。預計達產后年產值5億元，據悉
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中宜創芯 SiC
德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
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SiC 英飛凌
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power
Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球SiC
Power Device市場規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
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SiC 功率器件 TrendForce
隨著人工智能技術的飛速發展，越來越多的企業開始探索如何將人工智能技術融入業務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業領域，人工智能、自動駕駛等新興產業對碳化硅材料的需求日益增多，大力發展碳化硅產業，可帶動原材料與設備2000億級產業，加快我國向高端材料、高端設備制造業轉型發展的步伐。廣東天域聯手浪潮信息，為MES關鍵業務打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業化的企業
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碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個電池單元都需要經過精密的監測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務繁重且關鍵。它要實時監控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環境條件下都能維持最佳的工作狀態；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態，以便駕駛員能夠準確了
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BMS 電動汽車 碳化硅 Power Integrations
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
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雜散電感 SiC IGBT 開關特性
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環路電感分析）測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析S
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IGBT SiC 開關特性
在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業生態”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
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Qorvo SiC MOSFET
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。
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