在半導體行業的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產能，并且在未來的五年里，它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業的投資并購動作中也可窺見一二。國內上半年融資創三年之最2021 年有多家碳化硅企業獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
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碳化硅
“能夠優先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產線，能夠讓美國大學，企業以及政府研究人員進行長期
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SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導體的三駕馬車，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應用市場，ST要靠自己找市場、摸爬滾打，以解決生存和發展問題。據市場研究機構Garnter數據，ST 2022年營收158.4億美元，年增長率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無數的半導體行業，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來的？表1 202
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意法半導體 MCU SiC
2023年7月19日--智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創新可持續的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產品領域開展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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安森美 博格華納 碳化硅
汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發展良機。先看功率半導體，車規功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業還是功率半導體企業都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統
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功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據協議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經拉長到50%以上，市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態，整體積壓訂單金額超過
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英飛凌 賽米控 電動汽車芯片 SiC IGBT
全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據統計，全球SiC產能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產能，并宣布買下日本一家太陽能系統廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導體8吋晶圓產線到工廠內，預計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導體產能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
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羅姆 SiC
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發現這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
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SiC Traction模塊 安森美 202311
全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅動下，太陽能、電動汽車 (EV) 基礎設施和儲能領域不斷加快采用可再生能源。可再生能源的逐漸普及也為在工業、商業和住宅應用中部署功率轉換系統提供了更多機會。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設計人員平衡四大性能指標：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統基于 IGBT 的電源應用在可再生能源系統中的優
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TI 碳化硅
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動器
碳化硅（SiC）技術具有比傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發展趨勢與在儲能系統（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統成本與提升效率的SiC技術當前的SiC技術已經相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業應用范圍中，影響了能源、工業和汽車等眾多領域。由于SiC器件運作時的溫度較低，及較小的
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艾睿電子 碳化硅
近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
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8英寸 SiC 科友半導體
最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注，但同時也引發了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產生的一些疑慮與其應用范圍相關。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
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202306 SiC
SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協議。根據該合作協議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術開發合作伙伴關系”，并基于合作伙伴關系進行了密切的技術合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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羅姆 緯湃 SiC
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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SiC 肖特基二極管
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅（sic）!
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