近日，河南中宜創芯發展有限公司（以下簡稱“中宜創芯”）SiC半導體粉體500噸生產線成功達產，產品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業和研究機構開展試用和驗證。資料顯示，中宜創芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產2000噸碳化硅半導體粉體生產線。項目一期總投資6億元，年產能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開工建設，9月20日項目建成并試生產，9月30日首批產品出爐。預計達產后年產值5億元，據悉
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中宜創芯 SiC
德國頂級芯片制造商熱衷于挖掘中國對特種半導體的需求。
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SiC 英飛凌
TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power
Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球SiC
Power Device市場規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數據，其中Tesla在1
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SiC 功率器件 TrendForce
隨著人工智能技術的飛速發展，越來越多的企業開始探索如何將人工智能技術融入業務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業領域，人工智能、自動駕駛等新興產業對碳化硅材料的需求日益增多，大力發展碳化硅產業，可帶動原材料與設備2000億級產業，加快我國向高端材料、高端設備制造業轉型發展的步伐。廣東天域聯手浪潮信息，為MES關鍵業務打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業化的企業
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碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
電池組，無疑是電動汽車心臟般的存在，它不僅是車輛動力之源，更是決定車輛成本高低的關鍵因素。作為電動汽車中最昂貴的單個組件，電池組承載了車輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個電池單元都需要經過精密的監測和控制，以維持其長久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務繁重且關鍵。它要實時監控每一個電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環境條件下都能維持最佳的工作狀態；此外，BMS還需實時報告電池的充電狀態，以便駕駛員能夠準確了
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BMS 電動汽車 碳化硅 Power Integrations
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
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雜散電感 SiC IGBT 開關特性
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環路電感分析）測試設置雙脈沖測試
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的設置來分析S
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IGBT SiC 開關特性
在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業生態”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數據中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣
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Qorvo SiC MOSFET
安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化，如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發者提高開關頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性，與第一代相比的顯著性能提升，以及一些實用設計技巧。本文為第一部分，將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
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碳化硅 SiC MOSFET
近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進展。從國內外第三代化合物進展看，目前在碳化硅領域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產前夕，國產廠商方面則有更多廠家具備量產能力，產業鏈條進一步完善成熟，下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲，最早將于2025年開始。據悉，該工廠由Wolfsp
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SiC 8英寸
3月28日，小米公司正式發布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價21.59萬元；小米SU7 Pro版，售價24.59萬元；小米SU7 Max版，售價29.99萬元。圖片來源：小米公司2021年3月，小米創始人雷軍正式宣告小米造車。近三年時間過去，小米SU7正式發布，其相關供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時代、揚杰科技等本土供應鏈廠商。芯片領域，英偉達為小米汽車提供自動駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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小米 汽車 碳化硅
華泰證券發布研報稱，在3月20日-3月22日開展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會)上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業交流，并參加相關行業論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產廠商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動先進封裝需求，測試機國產化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長。 華泰證券主要觀點如下：
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元宇宙 AR VR 碳化硅 先進封裝
SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求，預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
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GaN SiC
服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）近日宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作，設計及研發使用ST被業界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。該參考方案是電源設計數位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務器、數據中心和通信電源的領域。隨著人工智能（AI）、5G和物聯網（IoT）的推波助瀾下，對數位服務的需求持續成長，能源及用電控制是數據中心永續發展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
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意法半導體 碳化硅 數字電源 數位電源 電源 肯微
3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
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功率半導體 碳化硅
碳化硅（sic）介紹
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