600v氮化鎵（gan）功率器件文章最新資訊

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個(gè)基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
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英飛凌300毫米GaN制造路線圖的進(jìn)展

隨著對 GaN 半導(dǎo)體的需求持續(xù)增長，Infineon Technologies AG 已準(zhǔn)備好利用這一趨勢，鞏固其作為 GaN 市場領(lǐng)先集成器件制造商（IDM）的地位。今天，該公司宣布其在 300 毫米晶圓上的可擴(kuò)展 GaN 制造正在按計(jì)劃進(jìn)行。隨著 2025 年第四季度向客戶提供第一批樣品，該公司已做好充分準(zhǔn)備來擴(kuò)大其客戶群并鞏固其作為領(lǐng)先 GaN 巨頭的地位。作為電力系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司掌握了所有三種相關(guān)材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半導(dǎo)體具有更高的功率密度、更快的開關(guān)速度和更低的功率
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GaN代工模型是否面臨問題？Innoscience參與臺積電2027退出

雖然臺積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力，這標(biāo)志著 GaN 領(lǐng)域的重大轉(zhuǎn)變。哪些因素可能推動了這些不同的策略？根據(jù)《科創(chuàng)板日報(bào)》的報(bào)道，中國英諾賽科董事會主席羅偉偉解釋說，氮化鎵晶圓生產(chǎn)可能不太適合傳統(tǒng)的代工模式。為什么 GaN 不適合代工模型正如報(bào)告中所引用的，Luo 解釋說，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)相對簡單，不會對代工服務(wù)產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。特別是對于 GaN 功率器件，這種模型沒有提供足夠的投資回報(bào) （ROI），并且缺乏代工廠與其客戶之間通常看到的
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瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOL
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臺積電退出后英飛凌加快GaN推進(jìn) 今年四季度將提供300毫米晶圓樣品

雖然臺積電計(jì)劃到 2027 年退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，但行業(yè)巨頭英飛凌正在加大努力。根據(jù)其新聞稿，英飛凌利用其強(qiáng)大的 IDM 模型，正在推進(jìn)其 300 毫米晶圓的可擴(kuò)展 GaN 生產(chǎn)，首批客戶樣品計(jì)劃于 2025 年第四季度發(fā)布。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，臺積電計(jì)劃在 2027 年 7 月 31 日之前結(jié)束其 GaN 晶圓代工服務(wù)，理由是來自中國競爭對手不斷上升的價(jià)格壓力是關(guān)鍵驅(qū)動因素。Liberty Times 補(bǔ)充說，由于對 GaN 的低利潤率前景持懷疑態(tài)度，臺積電已決定逐步退出其
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650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on）和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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臺積電無預(yù)警退出GaN市場納微有望接手美國訂單

國際功率半導(dǎo)體廠納微半導(dǎo)體于提交美國證券交易委員會（SEC）消息指出，臺積電將于2027年7月31日結(jié)束氮化鎵（GaN）晶圓代工業(yè)務(wù)，擬向力積電尋求產(chǎn)能支持。對此，臺積電回應(yīng)表示，經(jīng)過完整評估后，決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。臺積電透露，該決定是基于市場與臺積電公司的長期業(yè)務(wù)策略; 公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，并致力在此期間繼續(xù)滿足客戶需求。同時(shí)，臺積電也指出，仍將著重為合作伙伴及市場持續(xù)創(chuàng)造價(jià)值; 而該項(xiàng)決定將不會影響之前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。業(yè)界認(rèn)為，臺積電此舉凸顯中國
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瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運(yùn)行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進(jìn)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸（LET）為 63
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Wise計(jì)劃將GaN和數(shù)字控制器封裝在一起

法國電力初創(chuàng)公司 Wise Integration 正計(jì)劃推出一種帶有氮化鎵（GaN）晶體管的聯(lián)合封裝數(shù)字控制器，以簡化工業(yè)和數(shù)據(jù)中心 AI 電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。與此同時(shí)，該公司推出了用于基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）的數(shù)字控制器。零電壓開關(guān) （ZVS）開關(guān)算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中實(shí)現(xiàn)，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高達(dá) 2MHz 的開關(guān)，適用于更小的設(shè)計(jì)，效率高達(dá) 98%?！皩τ诠緛碚f，將這款數(shù)字控制器推向市場是一個(gè)重要
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英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無人機(jī)提供高性能電機(jī)控制解決方案

來自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導(dǎo)體功率器件，用于其下一代無人機(jī)（UAV）電機(jī)控制解決方案。通過集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高功率密度。此外，通過采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅(qū)動器IC結(jié)合的英飛凌MOTIX? IMD7
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柵極驅(qū)動器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

其他柵極驅(qū)動器轉(zhuǎn)換器考慮因素柵極驅(qū)動器 DC-DC 轉(zhuǎn)換器還有其他獨(dú)特的問題。其中包括：1）調(diào)節(jié)：當(dāng)器件不切換時(shí)，DC-DC 轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器始終要求最小負(fù)載;否則，它們的輸出電壓會急劇增加，可能達(dá)到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個(gè)高電壓存儲在大容量電容器上，因此當(dāng)器件開始切換時(shí)，它可能會出現(xiàn)柵極過壓，直到轉(zhuǎn)換器電平下降到正常負(fù)載下。因此，應(yīng)使用具有箝位輸出電壓或極低最小負(fù)載要求的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。2）啟動和關(guān)斷：重要的是，在驅(qū)動電路電壓軌達(dá)到指定值之前，I
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采用3D芯片設(shè)計(jì)的更快、更節(jié)能的電子設(shè)備

麻省理工學(xué)院和其他地方的研究人員開發(fā)了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標(biāo)準(zhǔn)硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學(xué)院網(wǎng)站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構(gòu)建許多微小的晶體管，切出每個(gè)單獨(dú)的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數(shù)量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產(chǎn)生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術(shù)能夠降低整個(gè)系統(tǒng)的溫度。研究人員使用這種
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據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競爭對手將迎來機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
關(guān)鍵字：碳化硅意法半導(dǎo)體功率器件

柵極驅(qū)動器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

有效的 MOSFET/IGBT 器件開關(guān)取決于柵極驅(qū)動器及其電源。從電源和電機(jī)驅(qū)動器到充電站和無數(shù)其他應(yīng)用，硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） MOSFET等開關(guān)功率半導(dǎo)體以及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，為了實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅(qū)動器。顧名思義，該元件的作用是驅(qū)動功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導(dǎo)通模式或?qū)⑵淅鰧?dǎo)通模式。這樣做要求驅(qū)動器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負(fù)載（柵極）存在內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
關(guān)鍵字：柵極驅(qū)動器功率器件