GaN FET支持更高電壓的衛星電源
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EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛星電源和推進應用樹立了新的基準。
本文引用地址：http://www.104case.com/article/202507/471903.htmEPC7030MSH
隨著衛星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對緊湊、高效和抗輻射功率轉換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運行的前端 DC-DC 轉換器和電力推進系統而設計。
文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸 （LET） 為 63 MeV，LET = 84.6 MeV 時為 250 V。據該公司稱，它提供當今市場上所有 300 V 抗輻射 GaN FET 中最低的 RDS（on） 和柵極電荷 （QG）。
EPC Space 首席執行官 Bel Lazar 在一份新聞稿中表示：“EPC7030MSH 300 V RH GaN FET 提供高電流和抗輻射可靠性，滿足更高電壓太空電源架構的嚴格要求，并為我們的客戶簡化熱設計。
新型 EPC Space 器件采用密封表面貼裝 FSMD-M 格式封裝，專為傳導冷卻和增加爬電距離而設計。它還與現有的 GaN 柵極驅動器兼容，簡化了空間合格設計的系統集成。
目標應用包括衛星電源系統中的前端 DC-DC 轉換器、高壓配電總線以及需要高效、緊湊開關的電力推進系統。
用于太空的 GaN
正如我們所報道的，氮化鎵 （GaN） 是一種寬帶隙半導體，在幾個關鍵方面優于傳統硅——它切換速度更快、運行效率更高、功率損耗更低。在空間應用中，優勢尤為重要，因為在太空應用中，系統必須具有極高的功率密度，能夠承受惡劣的熱條件，并能夠承受輻射暴露。這就是 GaN 擅長的地方。這種材料可實現更輕、更高效的設計，同時減輕熱管理負擔，這是衛星電源系統、航空航天推進電子設備和配電網絡的主要優勢。簡而言之，GaN 幫助工程師解決太空中一些最棘手的挑戰：減輕重量、最大限度地提高效率和提高可靠性。
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