RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優勢。我們將在下
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Qorvo GaN 功率放大器
當地時間11月13日，沖電氣工業株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術實現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注，尤其在1800
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GaN 垂直導電 OKI
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現，GaN在高壓的表現并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經在超過60個的市場應用中
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1250V PI PowiGaN GaN
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
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Transphorm 氮化鎵 GaN
基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
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EPC GaN FET 電機驅動器
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議，共同設計和開發使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商，專注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳
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CGD 群光電能 GaN 生態系統
2023 上半年，全球手機和 PC 市場涼到冰點，人們把希望都寄托在了以 AI 服務器為代表的高性能計算市場。但是，到了下半年，越來越多的人意識到，AI 服務器雖美，但其在全球電子半導體總市場中的占有率有限，而傳統數據中心業務也已經疲軟，要想全面恢復市場活力，還要將希望寄托在具有龐大市場規模的消費類應用領域，特別是手機、個人電腦（PC），以及汽車。從最近的情況來看，在 2023 年的最后一個季度，市場給人們的期待做出了積極的回應。據 IDC 統計，全球智能手機出貨量在 2021 年第三季度同比下滑了 6%
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處理器 存儲芯片 模擬芯片 功率器件
緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業系統等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性，同時繼續降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現更高的功率密度。然
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電源效率 氮化鎵 GaN 電源轉換器設計
英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
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英飛凌 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵
據英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN
Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN)
功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動
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英飛凌 氮化鎵系統 GaN Systems
引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術中心副總經理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產；2023 年3月，又確
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202310 羅姆 GaN
1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
1? ?SiC和GaN應用及優勢我們對汽車、工業、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
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202310 SiC GaN 安世半導體
1 SiC和GaN的優勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
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202310 納芯微 SiC GaN
1 SiC、GaN相比傳統方案的優勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
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202310 東芝 SiC GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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