消費者希望日常攜帶的各種電子設備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數電子產品轉向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設備充電。在設計現代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓撲中解決這一問題，同時提供散熱、尺寸和集成方面的優勢。在過去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術的發展，交流/直流拓撲
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TI GaN 電源拓撲
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月
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瑞薩 Transphorm GaN
近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛星通信、微波加熱、等離子體處理等領域，該研究成果已發表在“Small”雜志上。隨著半導體技術不斷發展，功率密度和散熱等問題日益凸顯，業界試圖通過新一代材料解決上述問題。據悉，金剛石具備極強的導熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學的科學家們成
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GaN 散熱能力
盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是不可行、不適用和無法接受的。醫療系統就屬于這類應用。相反，設備通常必須直接通過 AC 線路運行，或至少在電池電量不足時連接 AC 插座即可運行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規范外，醫用電源產品還必須符合監管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標準是為了確保用電設備即使在電源或負載出現故障時，也不會給操作員或病人帶來危險。與此同時，醫療電源的設計者必須不斷提地
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DigiKey GaN AC/DC
工業電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業領域為設備提供穩定的電力供應，在工業自動化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領域廣泛使用。與普通的電源相比，工業電源應用環境苛刻復雜，對電源的穩定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優化的電路和結構設計，利用先進的工藝和封裝技術制造， 形成的一個結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
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工業電源 功率器件 碳化硅
過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
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TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
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宜普電源 CES 2024 氮化鎵 GaN
據“徐州高新發布”公眾號消息，12月18日，徐州高新區漢軒車規級功率器件制造項目開工建設。據悉，漢軒車規級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產需求，是一座專注于車規級功率器件的晶圓代工廠。項目規劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規劃月產能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區半導體產業鏈布局，有力推動車規級功率器件國產化進程。
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功率器件 汽車電子 晶圓制造
本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結構和設計理念，可作為了解該器件在特定應用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應，將簡要解讀產品數據表中公布的熱數據和曲線。了解熱網絡對于外部條件可能出現極端變化的汽車應用而言，了解并準確估計器件的熱響應是一個長期存在的挑戰。以瞬態或連續溫度波動形式表現的超過器件熱容量的熱過應力，是該領域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經常觀察到這種瞬態。此外，隨著硅特征
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SmartFET 熱響應 功率器件
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
常見的幾種功率半導體器件半導體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導體有多少了解呢？今天我們就從最基礎的半導體功率器件入手，全面了解半導體的“前世今生”。電力電子器件又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數十至數千安，電壓為數百伏以上）電子器件。1、MCT? MOS控制晶閘管MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅動下MCT的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在一起，形成大功率、高壓、快速全
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半導體 功率器件
在半導體行業，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
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GaN 寬禁帶 SiC
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產創新、用于陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環路和最大限度地減少EMI。
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11月30日消息，日前，比亞迪半導體功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期竣工。據了解，位于馬山街道的比亞迪半導體項目總投資100億元，用地417畝。項目建設年產72萬片功率器件產品和年產60億套光微電子產品生產線，達產后可實現年產值150億元。順應新能源汽車行業發展需求，一期項目研發生產的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。據相關人員介紹，比亞迪半導體項目預計42個月全部竣工。
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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