為滿足電力電子系統對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發展。為了向系統設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續發展、電動汽車和數據中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態系統、商用車和農用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構件
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Microchip IGBT 7 功率器件
大半導體產業網消息，日前，中芯國際聯席CEO趙海軍在業績會上表示，為滿足公司客戶的需求，公司將加速布局功率器件產能，充分支持汽車工業和新能源市場的發展。中芯國際將會在此前宣布的邏輯電路產能基礎上，調轉一部分來做功率器件，不會因為增加功率器件生產而新增產能規?；蛲顿Y。趙海軍表示，會把原來已有的背面處理、鍵合、邏輯電路等已有工藝能力遷移到功率產品中，這也是之后與客戶合作的方向。
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中芯國際 邏輯電路 功率器件 新能源
Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉換器
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
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Mouser GaN
新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產能提升至原來的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產品?！? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，
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德州儀器 氮化鎵 GaN
在應對消費類電器、樓宇暖通空調(HVAC)系統和工業驅動裝置的能耗挑戰中，業界積極響應，通過實施諸如季節性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統能效評級體系。變頻驅動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統提供出色的系統效率，特別是在這些系統具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
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202409 三相集成GaN 電機驅動器 GaN
8月13日，新潔能發布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN
功率器件及封測的研發及產業化”項目達到預定可使用狀態日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power
Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續攀升，C
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8月15日消息，根據TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。
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英飛凌 德州儀器 GaN 功率元件
IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業的發展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產業的主戰場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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功率器件 GaN
IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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英飛凌 碳化硅 功率器件
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發展備受關注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
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GaN SiC
近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵 英飛凌 GaN Systems
氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅，通過實現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現了數量級的優化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統效率的關鍵所在。綜合上述兩方面優勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統性
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