前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。驅動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅動器，驅動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是說，相同的器件封裝可以采用更大電流規格的芯片，使輸出電流更大，但同時實際的損耗和發熱量也會明顯增大。功率器件中的分立器件、Easy系列模塊，Eco
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大多數人在想象工業應用中的技術時，想到的是大型的機械和復雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無關聯。然而通過實時控制，系統可以在規定的時間范圍內收集、處理數據并自行更新。智能感應可以檢測人員和機械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們早上起床到晚上睡覺休息的這段時間里，在幕后悄悄地執行著各種各樣的任務，讓我們的世界正常運轉。對我們的日常生活來說，在工業應用中使用的技術與智能手機一樣重要且有益。它們為我們節省了時間，增加了便利性；保護我
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遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開關測試需求，在靜態測試條件下，1700V時測得
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，在單管里是標稱電流的3倍或4倍，模塊由于考慮多芯片并聯等因素，關斷電流能力定義為標稱電流的2倍。在實際系統設計中，器件輸出電流能力往往受限于芯片的
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功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門極加
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過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022 年全球數據中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關的二氧化碳排放量也在2022年達到創紀錄的37 千兆噸。為應對這一問題，
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/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態熱阻曲線的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個重要參數。在被動整流應用中，由于電網的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流
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據媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產 SiC 芯片，據估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產能的40%以上。
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12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發和量產事宜建立戰略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發技術與臺積電業界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優勢結合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——R th /Z th 基礎：IEC 60747-9即GB/T 29332半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（等同采用）中描述了測量的基本原理。確定熱阻抗的
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文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術在高壓 LED照明 中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅動器與高電壓GaN晶體管結合，簡化了設計并提高了功率密度。事實證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強度放電 (HID
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1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業，物流需求持續擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業內企業開始考慮引進智慧物流系統，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執行工作。然而，也有很多企業擔心安全性和系統管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術和模塊已經逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
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SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
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