600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 最新資訊
英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業
- 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
- 關鍵字： 英飛凌 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵
英飛凌完成收購氮化鎵系統公司 (GaN Systems)
- 據英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動
- 關鍵字： 英飛凌 氮化鎵系統 GaN Systems
SuperGaN使氮化鎵產品更高效
- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
- 關鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案
- 過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發表第一版USB Power Delivery規范 (USB Power Delivery Specifi
- 關鍵字： ST 意法半導體 GAN 第三代半導體 Power and energy PD 協議 快充
半導體功率器件的無鉛回流焊
- 半導體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據環境法規的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數適合這些應用的無鉛焊料是具有較高熔點的錫/銀合金，相應地具有較高的焊料回流溫度。無鉛焊料通常是錫/銀 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的變體。影響焊接工藝的主要區別是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔點。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔點比 Sn/Pb 共晶 (63Sn/37Pb) 高 37°C。Sn/Ag 焊料的標稱共晶熔點為 220°C，Sn/Pb
- 關鍵字： 功率器件
GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺
- 全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
- 關鍵字： GaN Systems 氮化鎵
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